Hệ thống bóc tách Wafer n.unixx-series sử dụng công nghệ tách trượt bằng nhiệt (Thermal Slide Separation) tiên tiến với lực bóc tách điều chỉnh linh hoạt. Hệ thống tích hợp các tấm gia nhiệt độc lập cho wafer và carrier đạt nhiệt độ đến 200°C cùng đường chân không bảo vệ xung yếu. Thiết bị là giải pháp lý tưởng giúp xử lý an toàn các wafer siêu mỏng nhạy cảm trong đóng gói 3D-IC, chip bán dẫn ghép tầng và MEMS.

ALD-150LX là giải pháp hàng đầu của Kurt J. Lesker cho phương pháp lắng đọng lớp nguyên tử (ALD), cho phép chế tạo màng mỏng đồng đều ở cấp độ nguyên tử. Hệ thống tích hợp các công nghệ độc quyền như kỹ thuật tập trung tiền chất (Precursor Focusing Technique™ - PFT) và khả năng xử lý có độ tinh khiết siêu cao (Ultrahigh Purity - UHP), mang lại hiệu suất cao và linh hoạt cho phòng thí nghiệm.

FC300 tích hợp công nghệ căn chỉnh song song tuyệt đối trong phạm vi 1 µrad, đạt độ chính xác sau hàn cao ± 0.3 µm và dải lực cực rộng 1-4000 N. Thiết bị mang lại độ lặp lại vượt trội, khả năng cấu hình linh hoạt từ R&D đến dây chuyền sản xuất thử nghiệm. Hệ thống ứng dụng chuyên sâu cho đóng gói linh kiện cấu trúc siêu mịn (< 10 µm), 3D Integration, cảm biến hình ảnh X-Ray/Infrared, hiển thị MicroLEDs và Silicon Photonics.

ACCµRA OPTO sở hữu công nghệ trục cơ giới hóa kết hợp dải lực ép cực thấp 0.2 - 10 N. Thiết bị đạt độ chính xác sau hàn ± 0.5 µm, mang lại độ lặp lại quy trình cao và tính linh hoạt tuyệt vời. Đây là giải pháp tối ưu cho các ứng dụng chuyên sâu như Optoelectronics (Quang điện tử) và Silicon Photonics. 

ACCµRA M sử dụng công nghệ vận hành thủ công kết hợp hệ thống hỗ trợ cơ khí độ chính xác cao, đạt độ chính xác sau hàn ± 3 µm và dải lực nén tối đa 100 N. Thiết bị mang lại tính linh hoạt tuyệt đối, vận hành trực quan dễ dàng với mức chi phí đầu tư tối ưu nhất, là giải pháp lý tưởng phục vụ cho mục đích giáo dục, thử nghiệm quy trình ban đầu và các ứng dụng R&D cơ bản.

Máy hàn và căn chỉnh wafer AWB 04 cung cấp quy trình kiểm soát hàn dán toàn diện trong một buồng duy nhất (in-situ), đạt độ chính xác căn chỉnh vượt trội 1 µm và lực ép lớn lên đến 40 kN. Thiết bị sở hữu độ linh hoạt cao, thiết kế nhỏ gọn tối ưu không gian, là giải pháp lý tưởng phục vụ từ nghiên cứu phát triển (R&D) đến sản xuất hiệu suất cao cho các phiến bán dẫn 3", 4", 6" và chip tùy chỉnh.

Máy hàn và căn chỉnh wafer AWB 08 chuyên dụng cho kích thước 6" và 8". Thiết bị tích hợp quy trình căn chỉnh và hàn chính xác 1 µm trong một buồng chân không, lực nén tới 40 kN. Đây là giải pháp lý tưởng cho ứng dụng MEMS nâng cao, đóng gói 3D và sản xuất thử nghiệm hiệu suất cao quy mô phòng thí nghiệm chuẩn công nghiệp.

Beneq Transform® là hệ thống ALD chuẩn công nghiệp cao cấp cho sản xuất hàng loạt kỷ nguyên "More-than-Moore". Máy tích hợp cả Thermal ALD và PEALD, xử lý linh hoạt phiến bán dẫn từ 3" đến 8" (lộ trình lên 12"). Đây là giải pháp màng mỏng cốt lõi cho Điện tử công suất (GaN, SiC), RF, MEMS, cảm biến, MicroLED và Quang tử học.

PVA TePla SIRD sử dụng công nghệ khử cực hồng ngoại quét không phá hủy để bản đồ hóa ứng suất cơ học và khuyết tật nội tại trong các tấm wafer bán dẫn (Si, SiC, GaAs) lên đến 300mm. Thiết bị mang lại độ nhạy vượt trội, tốc độ quét nhanh, lý tưởng cho cả nghiên cứu R&D và kiểm soát quy trình sản xuất hàng loạt inline.

LuXpector THEA là hệ thống đo màng mỏng tự động tốc độ cao, kết hợp ellipsometry và reflectometry cho độ chính xác vượt trội. Thiết kế tối ưu cho nghiên cứu R&D và sản xuất hàng loạt, thiết bị giúp đo lường độ dày, chiết suất và thành phần lớp màng trên wafer bán dẫn (Si, SiC, GaN, GaAs, v.v.) với khả năng xử lý lên đến 160 wafer/giờ.

VEpioneer® MACRO là hệ thống kiểm tra bằng tầm nhìn siêu phổ (Hyperspectral Vision) để bàn, tích hợp đầy đủ và vận hành chỉ với một nút bấm. Thiết bị cung cấp khả năng kiểm tra không phá hủy, xác định các đặc tính bề mặt, phát hiện màng mỏng và nhận diện sai lệch so với tiêu chuẩn sản xuất với tốc độ quét cực nhanh.

VEreveal® kết hợp độc đáo giữa quang phổ quang học và công nghệ hình ảnh siêu phổ (hyperspectral) để kiểm tra bề mặt không phá hủy. Thiết bị cho phép đánh giá toàn diện các thuộc tính vật liệu, độ dày lớp phủ và phát hiện khuyết tật, nhiễm bẩn trên wafer lên đến 300mm với độ chính xác cao và tốc độ nhanh, phù hợp cho kiểm soát chất lượng sản xuất.

Thiết bị đo phổ Gamma tích hợp cầm tay với đầu dò HPGe, bộ tiền khuếch đại, bộ phân tích đa kênh, pin và phần mềm tích hợp mang lại một giải pháp tương đối nhỏ gọn, di động cho việc phân tích tia gamma độ phân giải cao. Thiết kế "tất cả trong một" giúp tăng cường khả năng sử dụng tại hiện trường mà không cần thêm bất kỳ linh kiện bên ngoài nào để thiết lập.

PGNAA Spectrometer BSI sở hữa công nghệ Prompt Gamma Neutron Activation Analysis tích hợp detector HPGe độ phân giải năng lượng cao. Thiết bị hỗ trợ tìm kiếm, phân tích thành phần phóng xạ, định lượng tức thời thành phần đa nguyên tố trong mẫu khối. Ứng dụng cho nghiên cứu chuyên sâu trong nhiều lĩnh vực khác nhau.

Amber-2 của BSI sở hữu 2 buồng đo phổ Alpha có thể tích hợp detector SIIDs với diện tích hoạt động lên đến 1200mm². Thiết bị hỗ trợ đo đồng thời 2 mẫu, đường kính lên tới 50mm, khoảng cách từ mẫu tới detector  tùy chỉnh 4 - 48mm, giúp chuyển đổi và phân tích chính xác phổ năng lượng hạt alpha.

Quang phổ Alpha amber-12 được thiết kế để chuyển đổi năng lượng của các hạt alpha thành tín hiệu điện, sau đó khuếch đại, lọc, biến đổi, thu thập và xử lý phổ nhằm xác định cường độ của các đường phổ. Dạng để bàn gồm 12 buồng đo, cho phép phân tích đồng thời lên đến 12 mẫu. Mỗi buồng đo của Amber-12 đều bao gồm một đầu đo hạt alpha, cảm biến áp suất và bộ tiền khuếch đại tín hiệu từ đầu đo alpha.

Thiết bị phân tích độ dày lớp phủ là một công cụ dùng để đo XRF chính xác độ dày của nhiều loại lớp phủ kim loại và phi kim loại khác nhau (chống ăn mòn, cách điện, chống oxy hóa, chống thấm nước, lớp phủ đường ống, v.v.). Thành phần lớp nền/lớp phủ là các nguyên tố từ Mg đến U. Hệ thống này có thể được ứng dụng để kiểm soát và giám sát các quy trình công nghiệp

TRIO - Là hệ thống được thiết kế để ghi nhận bức xạ Gamma -, Beta - và Alpha -, đồng thời đo hoạt độ (hoạt độ riêng và hoạt độ thể tích) của các hạt nhân phóng xạ tự nhiên và các hạt nhân phóng xạ nhân tạo trong nước, thực phẩm, mẫu đất, dược phẩm phóng xạ, vật liệu ngành hóa chất và các sản phẩm công nghệ khác. Ngoài ra, thiết bị còn được sử dụng để đo hoạt độ riêng tổng của các hạt nhân phát bức xạ beta và alpha trong nước.

Monolith BSI tích hợp bộ làm lạnh điện cơ Stirling cooler và Active Vibration Cancellation, loại bỏ nitơ lỏng. Thiết bị đạt dải năng lượng 3keV-10MeV, thời gian làm lạnh <13h, vận hành ở mọi góc độ và khôi phục tức thì sau mất điện, tối ưu cho phòng thí nghiệm, hiện trường và công nghiệp.