Ứng dụng công nghệ quang phổ tiên tiến, hệ thống đo lớp phủ Helios SCAN-tn cung cấp khả năng phân tích độ dày và chiết suất màng mỏng Silicon Nitride với tốc độ <0.5s/điểm. Đây là giải pháp đo không tiếp xúc dành riêng cho các tấm wafer pin mặt trời, giúp tối ưu hóa quy trình kiểm soát chất lượng lớp chống phản xạ (AR) một cách toàn diện.

Sở hữu công nghệ quang phổ không tiếp xúc tiên tiến, hệ thống đo độ dày màng mỏng TCM của NXT cung cấp tốc độ đo siêu tốc ≤ 2ms cùng độ phân giải chính xác ± 0.1 µm. Đây là giải pháp Cost-effective và đáng tin cậy nhất để giám sát chất lượng (QC) màng cách điện trong sản xuất pin Lithium, giúp phát hiện sớm các sai lệch nội tuyến, tối ưu vật liệu và loại trừ triệt để nguy cơ chập cháy pin.

Là hệ thống đo lường lớp phủ Poly-Si tiên tiến, Helios-r8 cung cấp tốc độ đo siêu tốc ≤ 200ms với độ chính xác độ dày ±1nm. Dựa trên công nghệ phản xạ quang học không tiếp xúc, thiết bị giúp kiểm soát chất lượng và tối ưu hóa quy trình phủ màng trên tấm wafer năng lượng mặt trời TOPCon, đáp ứng hoàn hảo cho phân tích Inline và Offline.

Tích hợp công nghệ cầu tích phân và quang phổ kế phân giải cao, máy đo phản xạ Helios-rc phân tích chính xác độ phản xạ, màu sắc, độ dày lớp phủ với tốc độ <100ms. Thiết bị là giải pháp Cost-effective lý tưởng giúp kiểm soát quy trình tạo rãnh (texturing) và ăn mòn (etching) bề mặt wafer pin mặt trời (PERC, TOPCon), tối ưu hóa hiệu suất quang điện.