Đặc điểm chính
Độ chính xác sau hàn submicronic (± 0.3 µm): Đảm bảo tỷ lệ thành phẩm (yield) tối đa trên các sản phẩm vi mạch tiên tiến nhất.
Căn chỉnh độ phẳng song song hoàn hảo (< 1 µrad): Cơ chế tự động điều chỉnh độ song song giữa hai linh kiện trước mỗi chu kỳ hàn, loại bỏ hoàn toàn sai số lệch trục.
Xử lý linh kiện kích thước lớn: Hỗ trợ kích thước chip lên tới 100x100 mm trên các tấm Wafer nền đường kính lên tới 300 mm.
Hệ thống thị giác quang học độc quyền: Cung cấp khả năng căn chỉnh có độ phân giải siêu cao, kết hợp kiểm soát thông số hàn tối ưu.
Chuyển đổi linh hoạt từ R&D sang Pilot line: Nền tảng thiết kế mở cho phép cấu hình nhanh chóng, đáp ứng hoàn hảo dòng chảy công nghệ từ phòng thí nghiệm đến sản xuất quy mô nhỏ.
Khả năng dập khắc cấu trúc Nano (NIL configuration): Hỗ trợ nâng cấp thêm tính năng Nanoimprint Lithography (bằng cả phương pháp dập nóng Hot Embossing và UV-NIL) mà không làm mất đi năng lực hàn chíp lõi.
Môi trường hàn khí bảo vệ (Confining gas): Tích hợp buồng xử lý khí bảo vệ, bao gồm cả Formic acid, giúp giảm thiểu oxy hóa mối hàn.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý hoạt động:
FC300 vận hành tự động dựa trên cấu trúc đá granite và đệm khí (Air bearing construction on granite structure) mang lại tính ổn định dài hạn. Máy hoạt động bằng cách căn chỉnh quang học độ phân giải cao kết hợp với hệ thống High Resolution Motorized Pitch & Roll để điều chỉnh độ song song tuyệt đối dưới 1 µradian giữa chip và đế wafer trước khi hàn. Hệ thống hỗ trợ đa dạng mọi kỹ thuật liên kết: Thermocompression, Reflow (in-situ / mass reflow), Ultrasonic, UV-curing và Adhesive bonding cho các cấu trúc chân cực mảnh Fine pitch < 10 µm.
Trong đóng gói vi mạch mật độ cao (như 3D Integration hay Cu-Cu bonding), việc kiểm soát đồng thời lực ép cực lớn (High force) và độ chính xác sub-micron mà không làm vỡ các linh kiện mỏng/giòn (fragile dies như GaAs, HgCdTe) là một thách thức cực lớn. FC300 giải quyết triệt để rào cản này bằng cách cho phép thay đổi cấu hình đầu hàn nhanh (quick process head reconfiguration) để chuyển đổi mượt mà giữa dải lực cực thấp (Low force từ 1 N) phục vụ linh kiện quang điện tử nhạy cảm, sang dải lực siêu cao (High force tới 4000 N) đồng thời kiểm soát nhiệt độ lên tới 450°C một cách đồng đều, chính xác.
Tích hợp/mở rộng:
Thiết bị sở hữu khả năng xử lý chip (Upper component) từ 0.2 mm đến 100 mm và Wafer nền (Lower component) lên đến 300 mm. FC300 sở hữu khả năng mở rộng mạnh mẽ thông qua các module tùy chọn (Options): Đầu hàn siêu âm (Ultrasonic head), hệ thống dập khắc nano NIL (Hot Embossing / UV-NIL phân giải < 50 nm), buồng hàn chân không/khí Formic acid và hệ thống Robot tự động cấp phôi (FC300R) giúp tối ưu hóa chu kỳ sản xuất.