Đặc điểm chính
- Maskless Aligner – chiếu trực tiếp từ dữ liệu số qua SLM, không cần mặt nạ chrome, rút ngắn chu kỳ chế tạo
- Raster Scan – điều biến ánh sáng trực tiếp, tối ưu vùng trống, quá trình ghi hai chiều
- Độ chính xác căn chỉnh cao – căn chỉnh toàn bộ (global) và theo từng die (field-by-field)
- Hai bước sóng đồng thời – laser 405 nm (8 W) và 375 nm (2,8 W) có thể lắp cùng lúc, tương thích tất cả cản quang broadband và SU-8
- Chế độ Draw Mode – thêm trực tiếp các chi tiết (nhãn, marker, kết nối điện) vào ảnh camera, không cần file CAD
- Tính linh hoạt vượt trội – đế từ 3×3 mm² đến 9″×9″, độ dày 0–12 mm, tùy chọn chuck cho đế mỏng/cong.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
MLA 150 sử dụng bộ điều biến ánh sáng không gian (SLM) 2 chiều để chiếu trực tiếp dữ liệu thiết kế lên đế phủ cản quang. Chiến lược ghi Raster Scan với bàn XY, điều biến ánh sáng trực tiếp, tối ưu vùng trống và ghi hai chiều đảm bảo tốc độ và chất lượng.
Hạn chế của lithography truyền thống
- Các phòng thí nghiệm cần một hệ thống tin cậy, dễ vận hành, bảo trì thấp.
- Căn chỉnh giữa các lớp cho cấu trúc phức tạp đòi hỏi độ chính xác cao.
- Kết hợp các công nghệ quang khắc khác nhau (e-beam, t-SPL) trong cùng quy trình gặp khó khăn về căn chỉnh.
Ưu điểm của hệ thống maskless lithography MLA 150
- Thiết kế với nguồn laser tuổi thọ nhiều năm, chi phí vận hành thấp.
- Căn chỉnh chính xác 250 nm cục bộ, 500 nm toàn bề mặt, bù xoay/offset/co giãn/cắt, hỗ trợ mix-and-match với các công cụ khác.
- Hệ thống cho phép căn chỉnh chéo giữa e-beam, t-SPL và laser lithography, dễ dàng tích hợp đa thiết bị.
Tích hợp & mở rộng
Phần mềm tích hợp: exposure wizard, cơ sở dữ liệu cản quang, gắn nhãn/số serial tự động, theo dõi lịch sử đế