Đặc điểm chính
- Closed‑loop lithography – Kiểm soát độ sâu thời gian thực, sai số <1 nm, tạo grayscale chính xác.
- In‑situ inspection – Chụp ảnh cấu trúc ngay sau khắc bằng chính đầu dò, xác nhận tức thì.
- Grayscale nanolithography – Tạo cấu trúc 3D/2.5D cho quang tử, lượng tử, khung tế bào.
- Hybrid mix & match – Kết hợp laser (DLS) gia công vùng rộng tốc độ cao với t‑SPL cho chi tiết nano.
- Module Decapede – 10 đầu dò độc lập, tăng thông lượng 10 lần, độ phân giải <50 nm.
- Markerless overlay & damage‑free – Căn chỉnh chính xác không cần marker, không hỏng vật liệu nhạy (2D, nanowire…).
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
NanoFrazor dùng đầu dò nhiệt đốt nóng để bay hơi cản quang PPA, không tái lắng đọng. Vừa khắc vừa chụp ảnh bề mặt (in-situ imaging), điều khiển khép kín (closed-loop), đảm bảo độ sâu chính xác đến nanomet. Không proximity effect, không cần chân không cao.
Hạn chế của lithography truyền thống
- Chùm điện tử năng lượng cao dễ phá hủy vật liệu 2D (MoS₂), nanowire.
- Tạo cấu trúc 3D bằng e-beam cần nhiều bước khắc xếp chồng, căn chỉnh khó, sai số lớn.
Ưu điểm của hệ thống maskless lithography NanoFrazor
- Damage‑free – dùng nhiệt, không hư hại vật liệu 2D, nanowire.
- In‑situ inspection – chụp ảnh ngay bằng đầu dò, không cần thiết bị riêng.
- Grayscale chính xác <1nm – closed‑loop cho phép tạo màng tế bào, grating, waveguide chỉ một bước.
- Markerless overlay & auto‑stitching – căn chỉnh không cần dấu chuẩn, lý tưởng cho transistor đơn lớp.
Tích hợp & mở rộng
Hybrid DLS (laser vùng rộng µm + t-SPL nano). Glovebox tùy chọn cho mẫu nhạy khí. Quy trình transfer chuẩn (lift-off, etching, molding) với PPA + PMMA, PMMA/MA, PMGI.