Đặc điểm chính
- Write Mode XR – đạt kích thước nhỏ nhất 200 nm, khoảng cách giữa các vạch chỉ 100 nm
- Grayscale Lithography – tạo cấu trúc 2.5D trên cản quang dương độ tương phản thấp, phù hợp cho vi quang học, MEMS
- Sáu chế độ ghi (Write Modes XR, I, II, III, IV, V) – linh hoạt từ siêu phân giải (200 nm) đến tốc độ cao (2000 mm²/phút), tùy biến theo ứng dụng
- Hai tùy chọn bước sóng – laser diode 405 nm (dùng cho cản quang broadband) hoặc laser UV 375 nm (hỗ trợ SU-8 và cản quang i-line)
- Căn chỉnh mặt sau (Backside Alignment) – độ chính xác 1000 nm, cho phép phơi sáng khớp với cấu trúc ở mặt dưới đế
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
DWL 66+ sử dụng chùm laser chiếu trực tiếp lên đế phủ cản quang. Chế độ Grayscale dùng cản quang dương độ tương phản thấp, cường độ sáng thay đổi theo không gian tạo ra độ sâu khắc tỷ lệ, tạo cấu trúc 2.5D liên tục. Sáu chế độ ghi cho phép cân bằng giữa độ phân giải và tốc độ.
Hạn chế của lithography truyền thống
- Tạo cấu trúc 3D/2.5D cần nhiều bước khắc xếp chồng, tốn thời gian và chi phí.
- Thiết bị thiếu khả năng căn chỉnh mặt sau, khó xử lý đế hai mặt hoặc cấu trúc phức tạp.
- Không thể gia công trên bề mặt cong hoặc thành bên của rãnh khắc sâu.
Ưu điểm của hệ thống maskless lithography DWL 66+
- Grayscale mode với 128 hoặc 32.768/65.536 mức xám, tạo cấu trúc 2.5D chỉ một bước.
- Backside alignment đạt độ chính xác 1000 nm, cho phép ghép lớp chính xác với cấu trúc mặt dưới.
- Basic Freeform gia công chi tiết xuống 3 μm trên bề mặt lồi, lõm của thấu kính.
Tích hợp & mở rộng
- Tích hợp camera, lấy nét tự động.
- Bộ nạp mẫu tự động xử lý mask 7″ và wafer 8″ với hai trạm chứa, prealigner và wafer scanner.