Trong công nghệ bán dẫn, vật liệu và do đó các vấn đề phân tích thay đổi nhanh chóng. Nhờ khả năng phân tích độ sâu vượt trội, máy CAMECA IMS 7f-Auto được sử dụng rộng rãi để giám sát chất pha tạp trong ngành công nghiệp bán dẫn, và được ứng dụng cho nhiều loại chất và hệ vật liệu khác nhau. Trong số những ưu điểm của thiết bị: hai nguồn ion có độ sáng cao (Cs+ và O2+), độ truyền dẫn cao, độ phân giải khối lượng cao…
Giới hạn phát hiện tuyệt vời cho các vết cấy sâu
Đối với các vết cấy sâu, hồ sơ độ sâu lên đến vài micromet có thể được phân tích trong vòng vài phút, với độ nhạy ấn tượng và dải động cao. Đối với ba chất pha tạp chính của Si (B, P và As), giới hạn phát hiện trong phạm vi ppb có thể đạt được. Ngược lại với TOF-SIMS, giới hạn phát hiện được cải thiện trong IMS 7f-Auto khi tăng tốc độ bắn phá.
Bên trái: Phốt pho trong Silicon - giới hạn phát hiện tuyệt vời và thông lượng mẫu cao (tổng thời gian phân tích 200 giây) cho các vết cấy sâu.
Độ phân giải chiều sâu được tối ưu hóa cho các lớp cấy nông.
Trên máy CAMECA IMS 7f-Auto, năng lượng va chạm có thể được giảm liên tục xuống còn 500eV, mang lại độ phân giải chiều sâu tuyệt vời trong khi vẫn duy trì độ nhạy tốt. Do đó, IMS 7f-Auto có thể được sử dụng để đặc trưng hóa sự phân bố theo chiều sâu của chất pha tạp và tạp chất trên các mẫu được cấy nông hoặc cấu trúc lớp mỏng.
Bên phải: Các lớp cấy boron nông trong Silicon - độ phân giải chiều sâu tuyệt vời cho việc phân tích theo chiều sâu ở năng lượng thấp.