PVA TePla SIRD sử dụng công nghệ khử cực hồng ngoại quét không phá hủy để bản đồ hóa ứng suất cơ học và khuyết tật nội tại trong các tấm wafer bán dẫn (Si, SiC, GaAs) lên đến 300mm. Thiết bị mang lại độ nhạy vượt trội, tốc độ quét nhanh, lý tưởng cho cả nghiên cứu R&D và kiểm soát quy trình sản xuất hàng loạt inline.

LuXpector THEA là hệ thống đo màng mỏng tự động tốc độ cao, kết hợp ellipsometry và reflectometry cho độ chính xác vượt trội. Thiết kế tối ưu cho nghiên cứu R&D và sản xuất hàng loạt, thiết bị giúp đo lường độ dày, chiết suất và thành phần lớp màng trên wafer bán dẫn (Si, SiC, GaN, GaAs, v.v.) với khả năng xử lý lên đến 160 wafer/giờ.