Bỏ qua để đến Nội dung
Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla

Giá:

0 ₫

Hệ thống cụm máy ALD công nghiệp Beneq Transform®
Hệ thống cụm máy ALD công nghiệp Beneq Transform®
Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA
Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA

Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla

PVA TePla SIRD sử dụng công nghệ khử cực hồng ngoại quét không phá hủy để bản đồ hóa ứng suất cơ học và khuyết tật nội tại trong các tấm wafer bán dẫn (Si, SiC, GaAs) lên đến 300mm. Thiết bị mang lại độ nhạy vượt trội, tốc độ quét nhanh, lý tưởng cho cả nghiên cứu R&D và kiểm soát quy trình sản xuất hàng loạt inline.

10 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Thương hiệu - PVA TePla
  • Lĩnh vực nghiên cứu

Đặc điểm chính


  • Quét khử cực hồng ngoại (SIRD Technology): Định lượng và bản đồ hóa chính xác ứng suất cơ học nội tại mà không gây phá hủy hay tổn hại bề mặt phiến bán dẫn.

  • Độ nhạy ứng suất siêu cao (High Sensitivity): Phát hiện các khuyết tật cấu trúc vi mô, vết nứt ngầm và đường trượt (slip lines) ẩn sâu dưới bề mặt wafer.

  • Bản đồ hóa toàn diện (Full-surface Mapping): Cung cấp hình ảnh trực quan độ phân giải cao về phân bố ứng suất trên toàn bộ phiến wafer từ kích thước nhỏ đến 300 mm.

  • Tốc độ đo lường tối ưu (Fast Inline Scanning): Thời gian xử lý nhanh chóng, đáp ứng hoàn hảo cho cả phân tích chuyên sâu trong R&D và kiểm soát chất lượng tự động trên dây chuyền.

  • Tương thích vật liệu đa dạng (Multi-material Support): Đo lường hiệu quả trên nhiều nền vật liệu bán dẫn quan trọng như Silicon, SiC, GaAs, InP và các màng mỏng.

  • Thiết kế tích hợp linh hoạt (Automation Ready): Dễ dàng tích hợp với các hệ thống bốc xếp wafer tự động (EFEM) và robot trung chuyển trong môi trường phòng sạch tiêu chuẩn.

Mô tả chi tiết


Công nghệ & Nguyên lý hoạt động

 SIRD ứng dụng hiệu ứng lưỡng chiết do ứng suất. Khi laser hồng ngoại phân cực xuyên qua wafer, ứng suất cơ học hoặc khuyết tật tinh thể sẽ làm thay đổi trạng thái phân cực của ánh sáng. Cảm biến quang học thu nhận độ khử cực này để tính toán chính xác biên độ, hướng ứng suất và dựng bản đồ số hóa trực quan.

Ứng suất nội tại từ quá trình cắt, mài hoặc xử lý nhiệt thường vô hình nhưng gây nứt vỡ wafer và lỗi mạch ở công đoạn sau. SIRD giải quyết bằng cách kiểm tra không tiếp xúc, không phá hủy, giúp phát hiện sớm vết nứt ngầm và ứng suất dư cục bộ. Từ đó, kỹ sư dễ dàng tối ưu hóa quy trình (ủ nhiệt, mài mỏng) và giảm thiểu phế phẩm.

Tích hợp & mở rộng

 Thiết bị hỗ trợ phiến từ 100 đến 300 mm, cấu hình linh hoạt từ máy độc lập cho R&D đến hệ thống tích hợp bốc xếp tự động (EFEM) cho nhà máy sản xuất. Phần mềm đi kèm hỗ trợ kết nối SECS/GEM, tự động nhận diện lỗi và xuất báo cáo, đáp ứng tiêu chuẩn tự động hóa công nghiệp bán dẫn nghiêm ngặt.

Thông số kỹ thuật chi tiết


Thông số

Giá trị

Wafer size capability (Kích thước wafer hỗ trợ)

100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm

Measurement technology (Công nghệ đo lường)

Quét khử cực hồng ngoại (Scanning Infrared Depolarization)

Light source (Nguồn sáng)

Laser hồng ngoại (Infrared Laser)

Measured properties (Thuộc tính đo lường)

Ứng suất cắt chính (Shear stress), hướng ứng suất, độ khử cực

Detection capability (Khả năng phát hiện khuyết tật)

Vết nứt ngầm (Sub-surface cracks), đường trượt (Slip lines), lỗi mạng tinh thể

Target materials (Vật liệu hỗ trợ)

Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), GaAs, InP

System integration (Khả năng tích hợp hệ thống)

Thiết bị độc lập (R&D) hoặc tích hợp EFEM tự động (Inline)

  

Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn hoặc Công nghệ Lượng tử
Thương hiệu PVA TePla
PVA_SIRD_FLYER.pdf
Tải xuống
Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla
Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla
0 ₫