Bỏ qua để đến Nội dung
Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA

Giá:

0 ₫

Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla
Hệ thống đo ứng suất nội tại bằng hồng ngoại SIRD PVA TePla
Hệ thống kiểm tra Macro để bàn VEpioneer® MACRO
Hệ thống kiểm tra Macro để bàn VEpioneer® MACRO

Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA

LuXpector THEA là hệ thống đo màng mỏng tự động tốc độ cao, kết hợp ellipsometry và reflectometry cho độ chính xác vượt trội. Thiết kế tối ưu cho nghiên cứu R&D và sản xuất hàng loạt, thiết bị giúp đo lường độ dày, chiết suất và thành phần lớp màng trên wafer bán dẫn (Si, SiC, GaN, GaAs, v.v.) với khả năng xử lý lên đến 160 wafer/giờ.

5 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Lĩnh vực nghiên cứu
  • Thương hiệu - PVA TePla

Đặc điểm chính


  • Kết hợp công nghệ đo kép: Tích hợp đồng thời ellipsometry và reflectometry để đặc tính hóa màng mỏng với độ chính xác cao ngay cả trên hệ thống lớp phức tạp.

  • Hiệu suất vượt trội: Tốc độ xử lý cao lên tới 160 wafer mỗi giờ với hệ thống nạp liệu tự động, tối đa hóa năng suất sản xuất.

  • Phân tích chuyên sâu: Khả năng đo Band Edge giúp xác định chính xác nồng độ Nhôm (Al) trong các lớp AlGaN.

  • Loại bỏ nhiễu bề mặt: Khử bỏ hoàn toàn các lỗi do phản xạ từ mặt sau (backside reflection), đặc biệt hiệu quả trên wafer SiC.

  • Tích hợp linh hoạt: Hỗ trợ chuẩn kết nối SECS/GEM, dễ dàng lắp đặt cho các dây chuyền sản xuất tự động hoặc phục vụ nghiên cứu R&D.

  • Giao diện thân thiện: Tự động hóa các quy trình hiệu chuẩn và phân tích, giúp việc vận hành và bảo trì trở nên đơn giản, ít tốn công sức.

Mô tả chi tiết


Công nghệ & Nguyên lý hoạt động

 LuXpector THEA sử dụng kết hợp phương pháp đo ellipsometry (đo sự thay đổi trạng thái phân cực của ánh sáng khi phản xạ) và reflectometry (đo cường độ phản xạ). Sự kết hợp này cho phép hệ thống phân tích đồng thời độ dày, chiết suất, hệ số hấp thụ và thành phần hóa học của các lớp màng mỏng. Thiết bị sử dụng nguồn sáng ellipsometer dải bước sóng 300–780 nm và reflectometer dải 400–1000 nm để đảm bảo dữ liệu đo lường tin cậy.

Trong sản xuất bán dẫn, việc kiểm soát các lớp màng mỏng phức tạp trên nhiều loại vật liệu (như SiC hay vật liệu hợp chất) thường gặp khó khăn do nhiễu phản xạ hoặc giới hạn độ nhạy của thiết bị. LuXpector THEA giải quyết triệt để các vấn đề này bằng cách loại bỏ nhiễu phản xạ mặt sau, đồng thời cung cấp khả năng phân tích nâng cao như xác định nồng độ Al trong AlGaN. Điều này giúp kỹ sư kiểm soát tốt quá trình lắng đọng (deposition) và ăn mòn (etching), từ đó giảm thiểu phế phẩm.

Tích hợp & mở rộng 

Hệ thống được thiết kế cho sự linh hoạt tối đa, hỗ trợ các kích thước wafer phổ biến từ 200 mm đến 300 mm. Với các tùy chọn cassette đa dạng (Open cassette, SMIF, FOUP) và khả năng nạp liệu tự động, máy có thể vận hành độc lập trong phòng thí nghiệm hoặc tích hợp liền mạch vào các dây chuyền sản xuất lớn theo tiêu chuẩn tự động hóa công nghiệp.

Thông số kỹ thuật chi tiết


Thông sốGiá trị
Kích thước wafer hỗ trợ200 mm, 300 mm
Công nghệ đo lườngĐo elips phổ (Ellipsometry) & Đo phản xạ phổ (Reflectometry)
Tốc độ xử lý waferLên đến 160 wafer/giờ (Wph)
Thuộc tính đo lườngĐộ dày màng, chiết suất, hệ số hấp thụ, độ phản xạ, tốc độ lắng đọng/ăn mòn, thành phần cấu trúc màng
Bước sóng Ellipsometer300 - 780 nm
Bước sóng Reflectometer400 - 1000 nm
Vật liệu hỗ trợSilicon (Si), Silicon Carbide (SiC), GaAs, Sapphire, Thủy tinh (Glass)
Khả năng tích hợp hệ thốngSẵn sàng kết nối SECS/GEM, hỗ trợ tích hợp với hệ thống bốc xếp tự động (EFEM)


Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn hoặc Công nghệ Lượng tử hoặc Solar & Pin Lithium
Thương hiệu PVA TePla
PVA_LuXpector_THEA_FLYER.pdf
Tải xuống
Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA
Phân tích màng mỏng bằng Ellipsometry LuXpector THEA
0 ₫