Đặc điểm chính
- Quét khử cực hồng ngoại (SIRD Technology): Định lượng và bản đồ hóa chính xác ứng suất cơ học nội tại mà không gây phá hủy hay tổn hại bề mặt phiến bán dẫn.
- Độ nhạy ứng suất siêu cao (High Sensitivity): Phát hiện các khuyết tật cấu trúc vi mô, vết nứt ngầm và đường trượt (slip lines) ẩn sâu dưới bề mặt wafer.
- Bản đồ hóa toàn diện (Full-surface Mapping): Cung cấp hình ảnh trực quan độ phân giải cao về phân bố ứng suất trên toàn bộ phiến wafer từ kích thước nhỏ đến 300 mm.
- Tốc độ đo lường tối ưu (Fast Inline Scanning): Thời gian xử lý nhanh chóng, đáp ứng hoàn hảo cho cả phân tích chuyên sâu trong R&D và kiểm soát chất lượng tự động trên dây chuyền.
- Tương thích vật liệu đa dạng (Multi-material Support): Đo lường hiệu quả trên nhiều nền vật liệu bán dẫn quan trọng như Silicon, SiC, GaAs, InP và các màng mỏng.
- Thiết kế tích hợp linh hoạt (Automation Ready): Dễ dàng tích hợp với các hệ thống bốc xếp wafer tự động (EFEM) và robot trung chuyển trong môi trường phòng sạch tiêu chuẩn.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý hoạt động
SIRD ứng dụng hiệu ứng lưỡng chiết do ứng suất. Khi laser hồng ngoại phân cực xuyên qua wafer, ứng suất cơ học hoặc khuyết tật tinh thể sẽ làm thay đổi trạng thái phân cực của ánh sáng. Cảm biến quang học thu nhận độ khử cực này để tính toán chính xác biên độ, hướng ứng suất và dựng bản đồ số hóa trực quan.
Ứng suất nội tại từ quá trình cắt, mài hoặc xử lý nhiệt thường vô hình nhưng gây nứt vỡ wafer và lỗi mạch ở công đoạn sau. SIRD giải quyết bằng cách kiểm tra không tiếp xúc, không phá hủy, giúp phát hiện sớm vết nứt ngầm và ứng suất dư cục bộ. Từ đó, kỹ sư dễ dàng tối ưu hóa quy trình (ủ nhiệt, mài mỏng) và giảm thiểu phế phẩm.
Tích hợp & mở rộng
Thiết bị hỗ trợ phiến từ 100 đến 300 mm, cấu hình linh hoạt từ máy độc lập cho R&D đến hệ thống tích hợp bốc xếp tự động (EFEM) cho nhà máy sản xuất. Phần mềm đi kèm hỗ trợ kết nối SECS/GEM, tự động nhận diện lỗi và xuất báo cáo, đáp ứng tiêu chuẩn tự động hóa công nghiệp bán dẫn nghiêm ngặt.



