Đặc điểm chính
Công nghệ plasma đa dạng trên một nền tảng – RIE, ICP (Cobra®), ICP CVD, PECVD, RIE/PE kết hợp, đáp ứng mọi nhu cầu khắc và lắng đọng màng mỏng.
Dải nhiệt độ đế rộng – từ -150°C (cryo) đến +1200°C, với các tùy chọn điện cực làm mát bằng chất lỏng, gia nhiệt điện trở, hoặc cryogenic.
Nguồn ICP Cobra® độc quyền – mật độ plasma cao ở áp suất thấp, thiên áp DC điều khiển độc lập, giảm tổn thương wafer nhờ che chắn tĩnh điện.
PECVD với kiểm soát ứng suất chính xác – showerhead tần số kép (LF/HF), cho phép điều chỉnh màng từ ứng suất kéo sang nén hoặc ứng suất thấp.
Phát hiện điểm kết thúc thông minh – laser interferometry (đo độ sâu), OES (theo dõi sản phẩm phụ), tối ưu năng suất và giảm chi phí bảo trì.
Phần mềm PC4000/PC4500 và khả năng cluster – giao diện trực quan, ghi log dữ liệu (50ms), phân quyền người dùng, tương thích SECS/GEM, ghép tối đa 4 module xử lý.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & nguyên lý
Dòng PlasmaPro sử dụng cấu hình buồng bơm hướng tâm đối xứng trục với bơm turbo gắn trực tiếp, đảm bảo tốc độ bơm lớn và áp suất nền thấp. Nguồn ICP Cobra® tạo plasma mật độ cao ở áp suất thấp, RF thiên áp điều khiển độc lập năng lượng ion. PECVD sử dụng showerhead được cấp RF, trộn tần số LF/HF để điều chỉnh ứng suất màng.
Hạn chế thông thường của PECVD
- Các phòng thí nghiệm cần xử lý đa dạng vật liệu (Si, III-V, dielectrics, kim loại) với các quy trình khác nhau (khắc sâu, lắng đọng nhiệt độ thấp, khắc chọn lọc cao) trên cùng một nền tảng.
- Khắc sâu (deep Si etch) yêu cầu nhiệt độ rất thấp (cryo) hoặc quy trình Bosch, trong khi lắng đọng màng passivation cần nhiệt độ thấp để bảo vệ các lớp nhạy nhiệt.
- Làm sạch buồng thường xuyên gây gián đoạn, xói mòn buồng, tăng chi phí.
- Phân tích thất bại (FA) trên chip đã đóng gói cần tốc độ loại bỏ lớp nhanh mà không phá hủy chip.
Ưu điểm của hệ thống PlasmaPro
- Hệ thống module hóa: RIE, ICP, ICP CVD, PECVD có thể hoạt động độc lập hoặc cluster với nhau, dùng chung bộ nạp wafer.
- Điện cực cryo (-150°C) và quy trình cryo-etch cho Si deep etch; ICP CVD lắng đọng ở nhiệt độ chỉ từ 5°C.
- Phát hiện điểm kết thúc làm sạch bằng OES: xác định chính xác thời điểm kết thúc, giảm ăn mòn buồng, giảm phát sinh hạt, tăng năng suất.
- PlasmaPro FA với Plasma Accelerator (tốc độ ăn mòn nhanh gấp 20 lần), xử lý từ chip đóng gói đến wafer 200mm.
Tích hợp & mở rộng
- Cluster platform với buồng chuyển trung tâm (hình lục giác hoặc vuông), wafer duy trì trong môi trường chân không khi di chuyển giữa các module.
- Tích hợp laser interferometry (đo độ sâu khắc, điểm kết thúc trên mẫu nhỏ), OES (toàn bề mặt/batch, giám sát tình trạng buồng).
- Gas pod tối đa 12 dòng khí, đặt xa, an toàn, thông hơi.