Đặc điểm chính
Căn chỉnh tại chỗ vượt trội (In-situ Alignment 1 µm): Hệ thống căn chỉnh quang học trực tiếp ngay trong buồng hàn giúp loại bỏ sai lệch khi di chuyển wafer, bảo đảm độ chính xác cơ học tuyệt đối.
Gia nhiệt độc lập mạnh mẽ (Independent Heating): Cho phép kiểm soát nhiệt độ riêng biệt cho mâm nhiệt trên và dưới với chênh lệch lên đến 350°C, tối ưu cho quá trình khử khí hiệu quả hoặc kích hoạt màng getter.
Lực ép cơ giới hóa cực lớn (Up to 40 kN): Điều khiển trục Z bằng động cơ cho phép áp dụng dải lực nén cơ học mạnh mẽ và đồng đều cho các mối hàn đòi hỏi khắt khe.
Kẹp cạnh phiến an toàn (Wafer Edge Clamping): Cố định wafer hoàn toàn bằng phần mép ngoại vi, ngăn chặn tiếp xúc bề mặt chức năng, loại bỏ nguy cơ nhiễm bẩn hoặc tổn hại bề mặt dán.
Tối ưu diện tích phòng sạch (Small footprint): Thiết kế nguyên khối gọn gàng, giảm thiểu không gian chiếm dụng vật lý trong môi trường phòng sạch tiêu chuẩn.
Khả năng hàn ba lớp (Triple Stack Bonding): Hỗ trợ kỹ thuật hàn Anodic các cấu trúc phức tạp như silic-thủy tinh-silic và thủy tinh-silic-thủy tinh với độ dày tổng thể mảng xếp chồng lên tới 30 mm.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý hoạt động
AWB 04 tích hợp toàn bộ chu trình căn chỉnh và hàn dán phiến bán dẫn vào trong một buồng xử lý chân không duy nhất. Thiết bị sử dụng hệ thống căn chỉnh quang học trực tiếp (In-situ), cho phép kỹ sư quan sát trực tiếp (Live View) bề mặt dán và điều chỉnh chính xác trước khi cho tiếp xúc. Máy tích hợp các công nghệ xử lý hóa học bề mặt tiên tiến bao gồm Kích hoạt gốc tự do (Radical Activation - RAD) và Phun hơi hóa chất (Vapour Injection - AVI) để làm sạch oxit (như oxit đồng) và tăng năng lượng liên kết bề mặt ngay trước khi dán.
Các hệ thống hàn wafer truyền thống thường yêu cầu thiết bị căn chỉnh (aligner) và thiết bị hàn (bonder) độc lập. Việc vận chuyển wafer đã căn chỉnh từ máy này sang máy khác rất dễ gây ra hiện tượng lệch màng do rung động, nhiễm bụi phòng sạch và làm giảm hiệu suất thoát khí (outgassing). AWB 04 giải quyết triệt để vấn đề này bằng cơ chế "In-situ" — căn chỉnh, xử lý bề mặt, khử khí và ép hàn diễn ra liên tục tại chỗ trong môi trường được kiểm soát hoàn toàn, bảo đảm độ chính xác 1 µm và độ sạch tuyệt đối cho các linh kiện MEMS hoặc vi mạch nhạy cảm.
Tích hợp & mở rộng
Thiết bị hỗ trợ linh hoạt các kích thước phiến tiêu chuẩn 3", 4", và 6" cùng khả năng tùy biến mâm nhiệt upper platen để hàn các chip kích thước nhỏ tự chọn (10 mm, 15 mm, 25 mm). Hệ thống cho phép mở rộng linh hoạt: tích hợp lên đến 3 đường dẫn khí (Process gas lines), hệ thống đóng rắn bằng đèn UV (UV Curing) cho keo dính, hệ thống quang học hồng ngoại gần (NIR Optics) để căn chỉnh xuyên thấu vật liệu mờ đục như Silic, hoặc mô-đun căn chỉnh hoàn toàn tự động (Automatic alignment).