Đặc điểm chính
- Đo lường quang học không tiếp xúc: Sử dụng hệ quang học đa góc tiên tiến (multi-angle optics) triệt tiêu hoàn toàn biến dạng tín hiệu do khoảng cách, độ nghiêng, độ nhám hay rãnh khắc trên bề mặt wafer.
- Tốc độ phân tích siêu nhanh (≤ 200ms): Xử lý song song dữ liệu phổ quang học, đáp ứng yêu cầu đo lường thời gian thực (Real-time) ngay trong dây chuyền sản xuất với thông lượng tối đa.
- Đánh giá toàn diện vật liệu Poly-Si: Xác định chính xác đồng thời cả độ dày lớp màng phủ (50 – 450 nm) và hệ số quang học n&k của vật liệu Poly-Si trên nền tế bào quang điện TOPCon.
- Phần mềm phân tích ETA-TCM thông minh: Giao diện trực quan tích hợp chức năng cảnh báo ranh giới chất lượng (Good/Bad), xuất dữ liệu thống kê đồ thị tự động giúp phát hiện sớm sự sai lệch quy trình.
- Thiết kế mô-đun tùy biến linh hoạt: Cung cấp 4 biến thể chuyên biệt, từ thiết bị để bàn thủ công (LAB-r8), đo quét tự động (SCAN-r8) đến module tích hợp thẳng vào dây chuyền cực kỳ nhỏ gọn (INLINE-r8s/r8m).
- Vận hành ổn định & bền bỉ: Tích hợp sẵn khay chứa mẫu chuẩn tham chiếu để hệ thống tự động hiệu chuẩn, duy trì độ chính xác cao nhất qua hàng chục năm trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt.
Mô tả chi tiết
Công nghệ quang phổ phản xạ đa góc tiên tiến
Hệ thống Helios-r8 hoạt động dựa trên nguyên lý chiếu sáng đối xứng trục (axisymmetrically), nơi cả ánh sáng phản xạ và tán xạ đều được thu nhận chặt chẽ bởi hệ quang học nhận tín hiệu đa góc. Tín hiệu này sau đó được quang phổ kế chuyển hóa thành các dải phổ thô (raw spectra). Thông qua phần mềm chuyên dụng ETA-TCM, hệ thống thực hiện khớp phổ (spectral fits) kết hợp với các mô hình lớp vật liệu nhằm trích xuất giá trị độ dày và hệ số quang học vô cùng chính xác. Thiết kế thông minh này giúp thiết bị luôn hoạt động ổn định và miễn nhiễm hoàn toàn với các rào cản đo lường trên bề mặt không đồng nhất.
Giải quyết triệt để điểm nghẽn trên pin mặt trời TOPCon
Trong công nghệ pin quang điện TOPCon hiệu suất cao, lớp màng Poly-Si được lắng đọng trên mặt sau của wafer qua một lớp oxit đường hầm (tunnel oxide) siêu mỏng. Đặc tính của lớp phủ này quyết định trực tiếp tới chất lượng của tiếp điểm thụ động hóa chọn lọc. Khả năng thu thập và đánh giá dữ liệu của Helios-r8 với độ lặp lại xuất sắc (≤ 0.1 nm) cho phép các kỹ sư liên tục giám sát độ đồng đều ở nhiều điểm trên toàn bộ bề mặt wafer. Từ đó, người vận hành sẽ đưa ra các điều chỉnh nhanh chóng, rút ngắn thời gian tinh chỉnh dây chuyền, tăng năng suất thông lượng và giảm thiểu lượng phế phẩm (Scrap).
Tự động hóa và khả năng tương thích mở rộng
Không chỉ dừng lại ở thiết kế đo lường độc lập, Helios-r8 sở hữu năng lực kết nối cực kỳ linh hoạt để hoạt động như một thành tố điều khiển. Thiết bị hỗ trợ đa dạng chuẩn truyền thông (Digital IO, TCP/IP, Profibus), cho phép đẩy trực tiếp dữ liệu đo đạc vào hệ thống PLC của xưởng sản xuất. Các phiên bản INLINE được trang bị thêm cảm biến kích hoạt chu trình (trigger sensor) và mô-đun tham chiếu cơ giới hóa (motorized reference sample), đảm bảo luồng công việc vận hành tự động và xuyên suốt với sự can thiệp thủ công gần như bằng không.