Bỏ qua để đến Nội dung
Quang khắc Laser không mặt nạ MLA 300

Giá:

0 ₫

Trạm đo kiểm wafer cryogenic cho chip lượng tử
Trạm đo kiểm wafer cryogenic cho chip lượng tử
Quang khắc Laser không mặt nạ ULTRA
Quang khắc Laser không mặt nạ ULTRA

Quang khắc Laser không mặt nạ MLA 300

MLA 300 được tối ưu cho sản xuất khối lượng lớn. Công nghệ Spatial Light Modulator (SLM) cho phép hiệu chỉnh biến dạng theo từng die, tự động lấy nét theo bề mặt cong, tương thích với SECS/GEM. Loại bỏ hoàn toàn chi phí và rắc rối của mask vật lý. Ứng dụng trong sản xuất MEMS, cảm biến, ASIC, advanced packaging, power electronics.

2 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Lĩnh vực nghiên cứu
  • Thương hiệu - Heidelberg
Heidelberg
Heidelberg

Nhà sản xuất số 1 thế giới sản phẩm quang khắc không mặt nạ (Markless Lithogrpahy) cho R&D và sản xuất

Thẻ

Đặc điểm chính


  • Thông lượng cao nhất dòng Heidelberg Instruments, độ phân giải 1.5μm
  • Công nghệ Maskless Aligner với SLM (Spatial Light Modulator) – mặt nạ động
  • Hiệu chỉnh biến dạng động (dynamic distortion correction) theo từng đế
  • Tự động lấy nét thời gian thực, bù warp và gợn sóng bề mặt
  • Hệ thống loader tự động, tùy chỉnh cấu hình, tích hợp Cognex và SECS/GEM
  • Bàn ngang khí tĩnh (frictionless airbearing table) – tốc độ cao, độ chính xác cao, bền bỉ
  • Diode laser tuổi thọ cao, không tiêu hao vật tư, chi phí sở hữu thấp

Mô tả chi tiết


Công nghệ & nguyên lý

MLA 300 dùng SLM làm mặt nạ động, chiếu trực tiếp từ dữ liệu số, mỗi die có pattern hiệu chỉnh riêng. Tích hợp camera Cognex để nhận dạng căn chỉnh và tự động lấy nét bằng khí nén hoặc quang học.

Hạn chế của lithography truyền thống

  • Mỗi lần sửa thiết kế phải làm mask mới.
  • Với các ứng dụng FOWLP, chip được gắn lên wafer sau khi cắt nên vị trí mỗi die bị xê dịch ngẫu nhiên – mask vật lý không đáp ứng.
  • Chi phí mask lớn, cộng thêm bảo trì, lưu kho, vệ sinh.
  • Substrate gốm/wafer mỏng bị cong vênh gây mất nét, dẫn đến sai số CD (critical dimension), hệ thống thường không bù warp tốt.

Ưu điểm của hệ thống maskless lithography MLA 300 

  • Không mask – sửa file dữ liệu, rút từ tuần xuống vài giờ.
  • Hiệu chỉnh động từng die: chụp ảnh, tính độ xê dịch (X, Y, xoay, biến dạng cắt), chiếu pattern riêng.
  • Tiết kiệm chi phí mask + lưu kho; diode laser tuổi thọ cao.
  • Auto-focus thời gian thực bám bề mặt cong ±80μm, đồng đều trên gốm/wafer mỏng.

Tích hợp & mở rộng

SECS/GEM, chuck tùy chỉnh, tương thích cleanroom ISO 6.

Thông số kỹ thuật chi tiết


Thông số

Giá trị

Độ phân giải

1,5 μm

Diện tích phơi sáng tối đa

300 × 300 mm²

Độ chính xác chồng lớp (3σ)

< 1 μm

Phạm vi bù lấy nét tự động

±80 μm

Nguồn sáng

Laser diode, 405 nm

Độ dày đế

0 – 12 mm

Yêu cầu phòng sạch

ISO 6 hoặc tốt hơn

Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn hoặc Công nghệ Lượng tử
Thương hiệu Heidelberg
MLA300_Brochure.pdf
Tải xuống
Quang khắc Laser không mặt nạ MLA 300
Quang khắc Laser không mặt nạ MLA 300
0 ₫