Đặc điểm chính
Độ chính xác căn chỉnh chồng lớp cực cao (± 250 nm): Đảm bảo tính đồng nhất tuyệt đối giữa các lớp hoa văn vi mô phức tạp khi dập khắc lặp lại.
Độ phân giải cấu trúc siêu mịn (Sub-50 nm resolution): Cho phép tạo hình các chi tiết kích thước nano siêu nhỏ với độ trung thực cấu trúc hoàn hảo.
Kiểm soát độ phẳng và góc nghiêng tối ưu (< 1 µrad): Cơ chế tự động căn chỉnh góc Pitch & Roll giữa khuôn dập (stamp) và đế wafer để đảm bảo lực ép phân bổ đồng đều 100%.
Hiệu quả kinh tế vượt trội (Cost-effective solution): Cung cấp năng lực sản xuất hoa văn nano diện tích lớn thông qua phương pháp dập lặp lại từng vùng (step-and-repeat), giảm thiểu chi phí chế tạo khuôn mẫu nguyên khối kích thước lớn.
Tương thích đa dạng kích thước tấm nền: Hỗ trợ xử lý dập khắc linh hoạt trên các tấm Wafer lớn có đường kính lên tới 300 mm.
Chuyển đổi quy trình linh hoạt: Hỗ trợ toàn diện cả hai công nghệ in khắc cốt lõi là UV-NIL (sử dụng tia UV) và Hot Embossing (dập nóng gia nhiệt).
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý hoạt động
NPS300 hoạt động theo nguyên lý in khắc thạch bản nano dập mẫu lặp lại từng bước (Nanoimprint Lithography Stepper). Khuôn dập (stamp) mang cấu trúc nano nano sẽ được hệ thống căn chỉnh quang học chính xác cao tiếp xúc với lớp chất cản quang (resist) trên tấm nền. Sau đó, hệ thống sử dụng năng lượng tia UV (đối với quy trình UV-NIL) để đóng rắn vật liệu ở nhiệt độ phòng hoặc sử dụng nhiệt độ cao kết hợp lực ép (đối với quy trình dập nóng Hot Embossing) nhằm sao chép chính xác cấu trúc từ khuôn sang bề mặt Wafer, rồi tự động dịch chuyển sang vị trí tiếp theo.
Việc chế tạo các cấu trúc nano trên các tấm Wafer đường kính lớn (như 200 mm hay 300 mm) bằng phương pháp dập nguyên khối (Full-wafer imprint) thường gặp lỗi do không kiểm soát được độ phẳng tuyệt đối hoặc chi phí làm khuôn dập kích thước lớn quá đắt đỏ. NPS300 giải quyết triệt để bài toán này bằng công nghệ Stepper — chia nhỏ việc dập khắc thành nhiều chu kỳ lặp lại trên từng vùng. Kết hợp với hệ thống căn chỉnh song song tự động dưới 1 µradian, máy bảo đảm phân bổ lực ép đồng đều trên mọi điểm, triệt tiêu bong bóng khí và lỗi biến dạng hoa văn.
Tích hợp & mở rộng
Nền tảng thiết kế của NPS300 cho phép tích hợp linh hoạt các module công nghệ tùy theo yêu cầu nghiên cứu và sản xuất. Hệ thống sở hữu khả năng xử lý đế wafer từ kích thước nhỏ đến tối đa 300 mm, tích hợp đầu phát tia UV bước sóng tiêu chuẩn, hệ thống kiểm soát nhiệt độ đóng rắn, buồng cách ly môi trường và cho phép mở rộng dải lực nén từ mức rất thấp cho cấu trúc nhạy cảm đến mức lực cao cho các ứng dụng dập nổi vật liệu polyme/thủy tinh đặc thù.