Bỏ qua để đến Nội dung
Bộ lọc
Cửa hàng
18 mục được tìm thấy.
Siêu vết phân giải cao
Quang phổ quang điện tử tia X (XPS) SPECS ProvenX

Danh mục sản phẩm của SPECS đã được mở rộng với dòng hệ thống quang phổ XPS ProvenX, đại diện cho đỉnh cao từ nền tảng kiến thức rộng lớn của chúng tôi trong việc phát triển và sản xuất các hệ thống phân tích toàn diện nhằm đáp ứng những yêu cầu khoa học khắt khe nhất. ProvenX bao gồm một loạt các hệ thống XPS chuyên dụng cho ARPES, µ-ARPES, Kính hiển vi động lượng (Momentum Microscopy), XPS/UPS cũng như NAP-XPS.

Nhiễu xạ tia X (XRD)
Máy nhiễu xạ điện tử ngang ELDICO ED-1

Là máy nhiễu xạ điện tử ngang chuyên dụng đầu tiên trên thế giới, ELDICO ED-1 kết hợp nguồn tia 160 keV và đầu dò DECTRIS QUADRO. Thiết bị đạt độ phân giải <0.84 Å, giúp giải mã cấu trúc tinh thể nano (10–1000 nm) nhanh chóng. Đây là giải pháp Cost-effective tối ưu cho nghiên cứu dược phẩm, vật liệu pin và hóa chất nông nghiệp.

Siêu vết phân giải cao
Quang phổ quang điện tử tia X (XPS) chân không môi trường EnviroESCA

EnviroESCA của SPECS là hệ thống quang phổ electron phân tích hóa học trong điều kiện môi trường thực tế nhờ công nghệ (N)AP-XPS đột phá. Thiết bị hoạt động ở áp suất lên tới hàng trăm mbar, tích hợp nguồn tia X đơn sắc Al Kα micro-focused và Environmental Charge Compensation giúp khử nạp nền tự động. EnviroESCA rút ngắn tối đa thời gian từ nạp đến đo mẫu, lý tưởng cho nghiên cứu vật liệu sinh học, polyme, pin, xúc tác và chất lỏng

Quang phổ hấp thụ tia X QuantumLeap Fluorescence-mode-XAS.webp Mới!
Quang Phổ hấp thụ tia X (XAS)
Quang phổ hấp thụ tia X QuantumLeap

QuantumLeap là hệ thống quang phổ hấp thụ tia X (XAS) tiên tiến với hai chế độ truyền qua và huỳnh quang. Hệ thống có dải năng lượng rộng từ 4,5 đến 25 keV và là XAS duy nhất trong phòng thí nghiệm có hiệu suất tương đương Synchrotron mang lại hiệu quả ngay tại phòng thí nghiệm, giải pháp cho lĩnh vực Pin và nhiên liệu, chất xúc tác, nghiên cứu về các nguyên tố nặng...

Quang Phổ hấp thụ tia X (XAS)
Quang phổ hấp thụ tia X QuantumLeap V210

Hệ thống XAS đầu tiên có khả năng phân tích mẫu có số nguyên tử thấp và phân tích điểm siêu nhỏ. Cho phép đo XANES ở mức 0,7 eV và EXAFS trong vòng vài giây hoặc vài phút. MicroXAS với kích thước điểm 100 micron với bệ mẫu di chuyển tự động cho phép lập bản đồ XAS ở độ phân giải 100 µm trên một mẫu. Là giải pháp hàng đầu cho nghiên cứu pin, xúc tác và khoa học vật liệu.

Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng offline cho OLED Xelas
Sở hữu công nghệ quang phổ RT-Method độc quyền, hệ thống đo Xelas LAB/SCAN-oled cho phép xác định độ dày (2–500nm) và hằng số quang học (n&k) hoàn toàn không tiếp xúc. Đây là giải pháp đo lường lý tưởng giúp kiểm soát chất lượng và R&D màng mỏng linh kiện OLED, vật liệu hữu cơ và điện cực ITO.
Kiểm tra và đo lường Wafer
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios SCAN-tn
Ứng dụng công nghệ quang phổ tiên tiến, hệ thống đo lớp phủ Helios SCAN-tn cung cấp khả năng phân tích độ dày và chiết suất màng mỏng Silicon Nitride với tốc độ <0.5s/điểm. Đây là giải pháp đo không tiếp xúc dành riêng cho các tấm wafer pin mặt trời, giúp tối ưu hóa quy trình kiểm soát chất lượng lớp chống phản xạ (AR) một cách toàn diện.
Quang phổ đo màng mỏng
Camera quang phổ đa năng TCM uScope
Là hệ thống đo quang phổ vi mô tiên tiến, TCM µScope (NXT) tích hợp đầu đo hiển vi chuyên dụng với kích thước điểm đo cực nhỏ đến 5µm. Thiết bị giúp phân tích chính xác bề dày màng mỏng (2nm - 25µm), hằng số quang học và màu sắc. Đây là giải pháp đo lường tối ưu cho công nghiệp bán dẫn, sản xuất màn hình phẳng (FPD) và màng phủ vật liệu.
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng pin Lithium TCM R-NIR
Sở hữu công nghệ quang phổ không tiếp xúc tiên tiến, hệ thống đo độ dày màng mỏng TCM của NXT cung cấp tốc độ đo siêu tốc ≤ 2ms cùng độ phân giải chính xác ± 0.1 µm. Đây là giải pháp Cost-effective và đáng tin cậy nhất để giám sát chất lượng (QC) màng cách điện trong sản xuất pin Lithium, giúp phát hiện sớm các sai lệch nội tuyến, tối ưu vật liệu và loại trừ triệt để nguy cơ chập cháy pin.
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo phản xạ và độ dày đa năng offline ETA-SST
Hệ thống đo quang phổ phản xạ ETA-SST từ NXT ứng dụng công nghệ cảm biến mảng tuyến tính, đo dải 380-1700 nm. Thiết bị đạt độ phân giải quang học đến 3.3 nm, giúp đo chính xác độ dày màng đơn/kép (0.1–30 µm). Với thiết kế gọn nhẹ, đây là giải pháp tối ưu hóa năng suất cho R&D và QA/QC linh kiện bán dẫn, kính quang học, bao bì.
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo truyền quang và màu sắc đa năng offline ETA-CSS
Hệ thống đo độ truyền quang và màu sắc phòng thí nghiệm ETA-CSS của NXT sử dụng công nghệ quang phổ tiên tiến, cung cấp độ chính xác chromaticity xyY đạt mức ±0.002. Đây là giải pháp Cost-effective tối ưu giúp kiểm soát chất lượng màng mỏng, màng lọc và kính quang học, hỗ trợ nâng cao hiệu suất sản xuất nhờ quy trình vận hành đơn giản.
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng cho thủy tinh nhãn khoa ETA-ARC
Sở hữu công nghệ triệt tiêu phản xạ mặt sau độc quyền, hệ thống đo lớp phủ kính mắt ETA-ARC của NXT là giải pháp tối ưu cho việc kiểm tra chất lượng kính mắt. Thiết bị đo nhanh chóng phản xạ dư, màu sắc và độ dày lớp phủ cứng (0.1–20 µm) trong chưa đầy 0.2 giây mà không cần làm nhám hay sơn đen mặt sau, giúp bảo vệ nguyên vẹn mẫu đo.
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng inline đa năng ETA-TCM

Hệ thống đo quang phổ inline ETA-TCM của NXT cung cấp giải pháp kiểm soát chất lượng màng mỏng 100% không phá hủy trực tiếp trên dây chuyền sản xuất. Thiết bị hỗ trợ đo đồng thời độ dày (0.1–30 µm), màu sắc, độ truyền qua, phản xạ và mật độ quang (OD1–OD7). Đây là giải pháp tối ưu giúp tiết kiệm nguyên liệu và nâng cao năng suất cho ngành màn hình, kính và bán dẫn.

Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng kính và thủy tinh khổ lớn Metis
Tích hợp quả cầu tích phân thông minh, hệ thống đo màng mỏng quang học Metis của NXT cung cấp khả năng kiểm soát chất lượng màng mỏng vượt trội nhờ dải phổ đo rộng 380–1070nm và tốc độ cực nhanh <0,1 giây/điểm. Đây là giải pháp Cost-effective tối ưu cho việc đo quang phổ phản xạ, truyền qua, độ dày màng và hằng số n&k trên màng cuộn và kính khổ lớn.
Quang phổ đo màng mỏng inline cho OLED Xelas f38ec04f-f297-447d-a2ab-7bbd7a8f4e70.webp Mới!
Quang phổ đo màng mỏng
Quang phổ đo màng mỏng inline cho OLED Xelas
Là hệ thống đo độ dày màng OLED nội tuyến Xelas INLINE-oled tiên tiến, thiết bị tích hợp phương pháp quang học RT độc quyền của NXT giúp kiểm soát chính xác độ dày (2-500nm) và n&k theo thời gian thực. Với thiết kế đo không tiếp xúc, giải pháp tối ưu này giúp các nhà sản xuất màn hình và chiếu sáng OLED tăng năng suất và sản lượng vượt trội.
Kiểm tra và đo lường Wafer
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios-r8
Là hệ thống đo lường lớp phủ Poly-Si tiên tiến, Helios-r8 cung cấp tốc độ đo siêu tốc ≤ 200ms với độ chính xác độ dày ±1nm. Dựa trên công nghệ phản xạ quang học không tiếp xúc, thiết bị giúp kiểm soát chất lượng và tối ưu hóa quy trình phủ màng trên tấm wafer năng lượng mặt trời TOPCon, đáp ứng hoàn hảo cho phân tích Inline và Offline.
Kiểm tra và đo lường Wafer
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios-rc
Tích hợp công nghệ cầu tích phân và quang phổ kế phân giải cao, máy đo phản xạ Helios-rc phân tích chính xác độ phản xạ, màu sắc, độ dày lớp phủ với tốc độ <100ms. Thiết bị là giải pháp Cost-effective lý tưởng giúp kiểm soát quy trình tạo rãnh (texturing) và ăn mòn (etching) bề mặt wafer pin mặt trời (PERC, TOPCon), tối ưu hóa hiệu suất quang điện.
Siêu vết phân giải cao
Hệ thống XPS đo lường Wafer EnviroMETROS - SPECS

SPECS EnviroMETROS là thế hệ hệ thống XPS đo lường bề mặt (Surface Hybrid Metrology) mang tính cách mạng, được thiết kế chuyên dụng cho việc phân tích thành phần hóa học theo chiều sâu của màng mỏng từ quy mô phòng thí nghiệm đến nhà máy sản xuất bán dẫn. Hệ thống tích hợp cốt lõi kỹ thuật quang phổ ảnh điện tử tia X phân giải góc (ARXPS) tự động hóa hoàn toàn, kết hợp linh hoạt đa nguồn năng lượng tia X và khả năng vận hành trong dải áp suất cực rộng từ chân không siêu cao (UHV) đến cận áp suất khí quyển (NAP). Đây là giải pháp tối ưu để phân tích cấu trúc lớp và đặc tính vật liệu mà không phá hủy mẫu.

Đang hiển thị 18 trong 18 kết quả