Bỏ qua để đến Nội dung
Bộ lọc
Cửa hàng
89 mục được tìm thấy.
Mục đích của bạn là gì?
Quang khắc Laser không mặt nạ (MLA)
Quang khắc laser không mặt nạ MLA 150
MLA 150 là máy quang khắc không mặt nạ thế hệ mới, chiếu trực tiếp thiết kế số qua bộ điều biến ánh sáng không gian (SLM). Độ chính xác căn chỉnh lớp 2 toàn bề mặt đạt 500 nm, tốc độ viết lên đến 1400 mm²/phút. Lý tưởng cho tạo mẫu nhanh, sản xuất số lượng thấp-trung bình, R&D trong MEMS, vi quang học, cảm biến.

Quang khắc & Tạo hình
Hệ thống quay phủ N.unixx - Notion System
Hệ thống phủ n.unixx-series sở hữu công nghệ Cover Chuck độc quyền giúp triệt tiêu hiệu ứng mạng nhện bông (cotton candy effect). Máy đáp ứng tốc độ quay Spin Speed tối đa 10.000 rpm, mang lại lớp phủ đồng đều lý tưởng và tiết kiệm tối đa chất cản quang Resist. Thiết bị là giải pháp bán tự động hoàn hảo giúp tối ưu hóa công thức chế tạo (Recipe Development) cho các ứng dụng quang khắc Wafer đến 300 mm trong phòng thí nghiệm và sản xuất mẻ nhỏ.
Quang khắc & Tạo hình
Thiết bị dán wafer N.unixx - Notion system

Thiết bị dán Wafer n.unixx-series áp dụng công nghệ liên kết nhiệt-áp suất (Thermal-Pressure Bonding) đột phá. Hệ thống sở hữu bộ tạo áp suất chỉnh cơ tinh vi cùng dải nhiệt độ gia nhiệt lên đến 200°C với độ đồng đều ±0.5°C, mang lại mối dán liên kết màng hoàn hảo. Thiết bị là giải pháp lý tưởng giúp tối ưu hóa quy trình dán ép wafer đơn cho các ứng dụng MEMS, vi cơ điện tử và đóng gói bán dẫn nâng cao.

Quang khắc & Tạo hình
Thiết bị bóc tách wafer N.unixx - Notion system

Hệ thống bóc tách Wafer n.unixx-series sử dụng công nghệ tách trượt bằng nhiệt (Thermal Slide Separation) tiên tiến với lực bóc tách điều chỉnh linh hoạt. Hệ thống tích hợp các tấm gia nhiệt độc lập cho wafer và carrier đạt nhiệt độ đến 200°C cùng đường chân không bảo vệ xung yếu. Thiết bị là giải pháp lý tưởng giúp xử lý an toàn các wafer siêu mỏng nhạy cảm trong đóng gói 3D-IC, chip bán dẫn ghép tầng và MEMS.

Lắng đọng lớp nguyên tử (ALD)
Hệ thống lắng đọng lớp nguyên tử ALD-150LX

ALD-150LX là giải pháp hàng đầu của Kurt J. Lesker cho phương pháp lắng đọng lớp nguyên tử (ALD), cho phép chế tạo màng mỏng đồng đều ở cấp độ nguyên tử. Hệ thống tích hợp các công nghệ độc quyền như kỹ thuật tập trung tiền chất (Precursor Focusing Technique™ - PFT) và khả năng xử lý có độ tinh khiết siêu cao (Ultrahigh Purity - UHP), mang lại hiệu suất cao và linh hoạt cho phòng thí nghiệm.

Đang hiển thị 89 trong 89 kết quả