Sự phân tách và khuếch tán trong vật liệu đa tinh thể (NanoSIMS) Phương pháp NanoSIMS được sử dụng ở đây để góp phần vào việc hiểu rõ sự phân tách và khuếch tán của các nguyên tố trong vật liệu đa tinh thể. Chiến lược là sử dụng chất đánh dấu đồng vị bền 18O để tạo... Vật liệu tiên tiến
Nghiên cứu các quá trình tách thay đổi pha (APT) Nhờ khả năng phân tích độ phân giải không gian độc đáo (độ phân giải ngang và độ sâu dưới nanomet), đầu dò nguyên tử CAMECA thực hiện phân tích định lượng ở quy mô nguyên tử chuẩn mực trong vật liệu. ... Vật liệu tiên tiến
Pin mặt trời màng mỏng CIGS (SIMS) Các thiết bị quang điện (PV) dựa trên lớp hấp thụ Cu(In,Ga)Se₂ ( CIGS) là một trong những loại pin mặt trời màng mỏng triển vọng nhất. Việc bổ sung các nguyên tố kiềm vào vật liệu CIGS, đặc biệt là na... Vật liệu tiên tiến
Các loại vật liệu cho năng lượng và chất xúc tác (SIMS) Đồng(I) oxit (Cu₂O ) , một chất bán dẫn loại p, từ lâu đã được coi là vật liệu đầy triển vọng cho việc chuyển đổi năng lượng mặt trời và quang xúc tác với chi phí thấp. Việc pha tạp nitơ vào Cu₂O là m... Vật liệu tiên tiến
Kiểm soát độ tinh khiết trong nguyên liệu PV Si (SIMS) Việc sản xuất thiết bị pin mặt trời dựa trên silicon sử dụng nguyên liệu silicon quang điện (PV) được nâng cấp lên cấp luyện kim với độ tinh khiết ít nhất 6N. Kiểm soát chất lượng của quá trình tinh c... Vật liệu tiên tiến
Giám sát Dopant trong các thiết bị LED (SIMS) Tối ưu hóa việc pha tạp (Mg, Si, Zn,...) và giảm thiểu sự lẫn tạp chất (H, C, O, kim loại) là rất cần thiết cho các thiết bị LED hiệu suất cao. Sử dụng SIMS động, có thể ghi lại cấu hình độ sâu lên đế... Vật liệu tiên tiến
Sự khuếch tán xen kẽ U và Zr giữa nhiên liệu hạt nhân và lớp bọc (EPMA) Chương trình quốc tế VERDON-ISTP nhằm mục đích nghiên cứu và giảm thiểu rủi ro phát thải các sản phẩm phóng xạ ra môi trường trong trường hợp xảy ra tai nạn hạt nhân nghiêm trọng. Trong số đó, một số ... Vật liệu tiên tiến
Đo lường cấy ghép siêu nông (EXLIE SIMS) Việc sản xuất các chip bán dẫn mới nhất và việc tiếp tục thu nhỏ các linh kiện CMOS đang đẩy giới hạn của độ sâu chuyển tiếp (junction depth) xuống dưới mức 10nm, với độ dốc profile (profile steepness... Bán dẫn Vật liệu tiên tiến
Thúc đẩy sự phát triển của hợp kim Nhôm siêu bền Mặc dù có các đặc tính hấp dẫn, chẳng hạn như mật độ thấp, độ bền cao và khả năng chống ăn mòn, hợp kim nhôm được áp dụng chậm hơn trong sản xuất bồi đắp (AM) so với thép, hợp kim titan và siêu hợp ki... Vật liệu tiên tiến
