Cơ chế biến đổi thủy tinh hạt nhân (SIMS) Hành vi dài hạn của các loại thủy tinh được sử dụng để chứa chất thải hạt nhân là mối quan tâm hàng đầu để đảm bảo việc chôn cất địa chất an toàn. Để hiểu được cơ chế biến đổi thủy tinh, điều quan trọ... Bán dẫn
Sự di chuyển Heli trong các lò phản ứng hạt nhân (SIMS) Trong các lò phản ứng hạt nhân, sự di chuyển và giữ lại heli có thể dẫn đến sự phồng rộp, cứng lại, đứt gãy do hiện tượng rão nghiêm trọng, phồng rộp… Để đảm bảo tuổi thọ của các vật liệu hạt nhân cấu... Bán dẫn
Phân tích độ sâu cấy ghép sâu và nông (SIMS) Trong công nghệ bán dẫn, vật liệu và do đó các vấn đề phân tích thay đổi nhanh chóng. Nhờ khả năng phân tích độ sâu vượt trội, máy CAMECA IMS 7f-Auto được sử dụng rộng rãi để giám sát chất pha tạp tro... Bán dẫn
Kiểm soát tạp chất (SIMS) Kiểm soát tạp chất bằng SIMS – Phân tích vết hiệu năng cao cho các nguyên tố nhẹ Các kỹ thuật vi phân tích thông thường như Khối phổ phóng điện phát quang (Glow Discharge Mass Spectrometry - GDMS) khô... Bán dẫn
Đo lường cấy ghép siêu nông (EXLIE SIMS) Việc sản xuất các chip bán dẫn mới nhất và việc tiếp tục thu nhỏ các linh kiện CMOS đang đẩy giới hạn của độ sâu chuyển tiếp (junction depth) xuống dưới mức 10nm, với độ dốc profile (profile steepness... Bán dẫn Vật liệu tiên tiến
Đặc tính quy mô nguyên tử của chất dẫn xuất (APT) Khi cấu trúc của các transistor tiếp tục thu nhỏ để bắt kịp Định luật Moore, các kỹ thuật phân tích và đo lường hiện tại sẽ không còn đủ khả năng để mô tả đặc tính toàn diện của các linh kiện ở quy mô... Bán dẫn
