Thiết bị dán Wafer n.unixx-series áp dụng công nghệ liên kết nhiệt-áp suất (Thermal-Pressure Bonding) đột phá. Hệ thống sở hữu bộ tạo áp suất chỉnh cơ tinh vi cùng dải nhiệt độ gia nhiệt lên đến 200°C với độ đồng đều ±0.5°C, mang lại mối dán liên kết màng hoàn hảo. Thiết bị là giải pháp lý tưởng giúp tối ưu hóa quy trình dán ép wafer đơn cho các ứng dụng MEMS, vi cơ điện tử và đóng gói bán dẫn nâng cao.

Hệ thống bóc tách Wafer n.unixx-series sử dụng công nghệ tách trượt bằng nhiệt (Thermal Slide Separation) tiên tiến với lực bóc tách điều chỉnh linh hoạt. Hệ thống tích hợp các tấm gia nhiệt độc lập cho wafer và carrier đạt nhiệt độ đến 200°C cùng đường chân không bảo vệ xung yếu. Thiết bị là giải pháp lý tưởng giúp xử lý an toàn các wafer siêu mỏng nhạy cảm trong đóng gói 3D-IC, chip bán dẫn ghép tầng và MEMS.