Bỏ qua để đến Nội dung
Quang khắc chùm ion Elionix ELS EIS-200ERP

Giá:

0 ₫

Máy hàn chip lật ACCµRA100 SET SAS
Máy hàn chip lật ACCµRA100 SET SAS
Lắng đọng màng mỏng PlasmaPro 80/100/800 - PECVD
Lắng đọng màng mỏng PlasmaPro 80/100/800 - PECVD
Mới!

Quang khắc chùm ion Elionix ELS EIS-200ERP

EIS-200ERP (Elionix Ion Beam Etching/Sputtering System): Đây là một hệ thống quang khắc/phún xạ chùm ion, cho phép ăn mòn vật liệu ở cấp độ nano và lắng đọng bằng cách sử dụng chùm ion ECR.

 

3 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Lĩnh vực nghiên cứu
  • Thương hiệu - Elionix
  • Vật liệu mẫu
Elionix
Elionix

Nhà sản xuất hệ thống quang khắc chùm điện tử (E-beam Lithogrpahy) nổi tiếng cho R&D đến từ Nhật Bản

Đặc điểm chính


  • Ăn mòn/lắng đọng đa năng: Một số mẫu như EIS-220P được trang bị hai súng ion, cho phép luân phiên thực hiện cả hai quá trình ăn mòn (etching) và lắng đọng (deposition) mà không cần tháo mẫu ra khỏi buồng chân không, giúp duy trì môi trường sạch và hiệu quả quy trình.

  • Sử dụng nhiều loại khí: Máy có thể sử dụng cả khí trơ (như Argon, Xenon) và khí hoạt hóa (như Oxy, CF4) làm nguồn ion, cho phép thực hiện cả ăn mòn vật lý và ăn mòn hóa học.

  • Kiểm soát góc chiếu: Cho phép điều chỉnh góc chiếu chùm ion để tạo ra các cấu trúc có thành nghiêng.

Mô tả chi tiết


  • Công nghệ / Nguyên lý: EIS-200ERP vận hành dựa trên nguyên lý cộng hưởng từ xyclotron điện tử (Electron Cyclotron Resonance - ECR) để tạo ra các plasma mật độ cao ở áp suất cực thấp. Các ion (như Ar⁺, N⁺) được trích xuất từ buồng plasma thông qua hệ lưới đẩy và gia tốc bằng điện trường cao áp từ 20V đến 3000V. Chùm ion năng lượng cao được định hướng song song hoàn hảo để bắn phá vật lý (physical bombardment) bóc tách bề mặt mẫu (ion milling) hoặc bắn phá vào các bia vật liệu (targets) nhằm phún xạ lắng đọng màng mỏng lên chất nền nền mẫu.
  • Cách giải quyết: Trong chế tạo nano và cấu trúc MEMS, điểm nghẽn lớn nhất của phương pháp khắc plasma (RIE) thông thường là gây ra tổn thương bề mặt rất lớn do năng lượng ion khó kiểm soát và bị giới hạn bởi tính chất hóa học của vật liệu. EIS-200ERP xử lý triệt để thách thức này bằng cách tách biệt vùng tạo plasma và vùng xử lý mẫu thông qua nguồn ECR Ion Source. Nhờ đó, người dùng có thể hạ thấp điện áp gia tốc xuống mức 20V để làm sạch/khắc nhẹ nhàng mà không làm hỏng cấu trúc tinh thể, đồng thời vách khắc đạt độ (anisotropy) cao hơn hẳn do chùm tia có tính định hướng song song tuyệt đối.
  • Tích hợp / Mở rộng: Hệ thống sở hữu cấu trúc buồng chân không độ sạch cao đạt áp suất áp cuối dưới 3 × 10⁻⁴ Pa nhờ tích hợp hệ bơm phân tử Turbo (TMP) mạnh mẽ. Thiết bị được trang bị giá đỡ mẫu linh hoạt hỗ trợ kích thước Wafer lên đến 4 inch và cụm đa bia (multi-target configuration) cho phép thay đổi vật liệu phủ màng liên tục. Người dùng có thể tích hợp thêm các cảm biến dòng khí, thay đổi cấu hình bơm khô (dry pump) hoặc lập trình tự động hóa quy trình thông qua các mô-đun phần mềm mở rộng điều khiển của Elionix.

Thông số kỹ thuật chi tiết


Thông số kỹ thuật (Specifications)

Giá trị tiêu chuẩn (Standard Configuration)

 

Ion Source Type

ECR (Electron Cyclotron Resonance) Ion Gun

Process Gases

Ar, N₂, O₂, CF₄ (Các khí chứa Flo khác cần tham vấn)

Accelerating Voltage

20 V ~ 3000 V

Beam Current Density

≥ 1.5 mA/cm² (Khi gia tốc Ar ở điện áp 2 kV)

Effective Beam Diameter

Φ 20 mm (Độ rộng nửa chiều cao tối đa FWHM: 35 mm)

Maximum Sample Size

Φ 4 inch (Hỗ trợ các mẫu kích thước tiêu chuẩn 75 mm)

Sample Stage Mechanism

Giá mẫu xoay và nghiêng 1 trục (Có làm mát bằng nước - Water-cooled)

Ultimate Vacuum Pressure

≤ 3 × 10⁻⁴ Pa

Operating Pressure Range

6 × 10⁻³ Pa ~ 2 × 10⁻² Pa

Exhaust Vacuum System

Bơm phân tử Turbo (TMP) + Bơm vòng dầu (Có thể đổi sang Bơm khô)

Recommended Footprint Space

W 2300 mm × D 2000 mm × H 1500 mm



Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn hoặc Công nghệ Lượng tử
Vật liệu mẫu Kim loại & Hợp kim hoặc Vật liệu tiên tiến
Thương hiệu Elionix
Quang khắc chùm ion Elionix ELS EIS-200ERP
Quang khắc chùm ion Elionix ELS EIS-200ERP
0 ₫