Bỏ qua để đến Nội dung
Quang phổ đo màng mỏng offline cho OLED Xelas

Giá:

0 ₫

Quang khắc Laser không mặt nạ VPG 300 DI
Quang khắc Laser không mặt nạ VPG 300 DI
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios SCAN-tn
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios SCAN-tn

Quang phổ đo màng mỏng offline cho OLED Xelas

Sở hữu công nghệ quang phổ RT-Method độc quyền, hệ thống đo Xelas LAB/SCAN-oled cho phép xác định độ dày (2–500nm) và hằng số quang học (n&k) hoàn toàn không tiếp xúc. Đây là giải pháp đo lường lý tưởng giúp kiểm soát chất lượng và R&D màng mỏng linh kiện OLED, vật liệu hữu cơ và điện cực ITO.
5 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Lĩnh vực nghiên cứu
  • Thương hiệu - NXT GmbH
NXT GmbH
NXT GmbH

Nhà sản xuất Quang phổ đo chiều dày lớp phủ bằng công nghệ phản xạ

Đặc điểm chính


  • Đo lường đa lớp toàn diện: Xác định chính xác độ dày màng (2–500nm), phổ vật liệu n(λ)/k(λ), độ nhám bề mặt và lập hồ sơ chiết suất cho màng dẫn điện trong suốt (ITO).
  • Phân tích không phá hủy (Non-destructive): Thao tác đo quang học không tiếp xúc giúp bảo toàn nguyên trạng tính chất mẫu, phù hợp luân chuyển giữa môi trường R&D và quy trình kiểm soát sản xuất (QC).
  • Khả năng tương thích vật liệu cao: Kiểm tra và đánh giá hiệu quả hầu hết các lớp phủ liên quan như màng vật liệu hữu cơ, màng điện môi, đến màng kim loại hoặc lớp dẫn điện.
  • Bản đồ quét 3D linh hoạt (SCAN): Phiên bản Xelas SCAN-oled hỗ trợ quét x-y (mapping), cho phép thu thập quang phổ đa điểm nhanh chóng để đánh giá độ đồng đều của màng mỏng trên diện rộng.
  • Mô hình hóa quang học chuyên sâu: Thuật toán dao động (Oscillatory model) độc quyền cho phép tự thiết lập cấu hình vật liệu (Optical Modelling), dễ dàng đón đầu các vật liệu và cấu trúc xếp lớp mới.

Mô tả chi tiết


Nguyên lý giao thoa quang học tiên tiến

Thiết bị Xelas-oled hoạt động dựa trên việc phân tích hiện tượng giao thoa ánh sáng sinh ra do sự lệch pha giữa các tia phản xạ ở mặt trước và mặt sau của lớp màng. Kết hợp với việc đo lường khả năng hấp thụ ánh sáng làm thay đổi biên độ sóng trong từng lớp, hệ thống sử dụng thuật toán dao động độc quyền để giải quyết các tính toán quang học phức tạp. Từ đó, Xelas-oled đủ sức nhận diện các lớp màng cực mỏng từ 2nm cũng như phát hiện biến đổi dù là nhỏ nhất trên các cấu trúc xếp lớp đa tầng (stack).

Giải quyết rào cản chất lượng sản xuất OLED

Trong ngành công nghiệp sản xuất đi-ốt phát quang hữu cơ (OLED), chất lượng linh kiện bị ảnh hưởng trực tiếp bởi độ đồng đều của bề dày và độ nhám vật liệu phủ. Thay vì tốn kém thử nghiệm phá hủy, Xelas-oled khắc phục rào cản này bằng các phép đo ngoại tuyến (offline) vô cùng chuẩn xác. Hệ thống cho phép các nhà sản xuất phát hiện kịp thời sự trôi dạt (drift) của những thông số cục bộ, qua đó duy trì điều kiện sản xuất ổn định và gia tăng sản lượng linh kiện thành phẩm (yield).

Nâng cấp và mở rộng linh hoạt

Nhằm đáp ứng đa dạng môi trường sử dụng, dòng sản phẩm đem đến hai tùy chọn cấu hình: hệ thống Xelas LAB-oled với bàn thao tác thủ công gọn gàng cho phòng R&D; và tùy chọn Xelas SCAN-oled trang bị khay trượt cơ giới (kích thước lến tới 600x600mm) cho năng suất đo cao hơn. Nhờ khả năng nâng cấp phần mềm linh hoạt cùng cơ sở dữ liệu vật liệu thiết lập sẵn, hệ thống dễ dàng mở rộng để giải quyết các thách thức đo lường màng mỏng phức tạp trong tương lai.

Thông số kỹ thuật


Thông số đo lường

Độ dày lớp (lớp đơn & các lớp xếp chồng), chiết suất quang phổ + hệ số hấp thụ (n&k)

Dải bước sóng

320 – 800 nm

Dải độ dày

2 – 500 nm

Dải chiết suất

0.01 – 10.00

Kích thước điểm đo

~ 1 mm

Kích thước mẫu

10x10 mm đến 300x300 mm (kích thước mẫu lớn hơn có thể được đáp ứng theo yêu cầu)

Độ chính xác độ dày

± 0.5 nm (2–40 nm); ± 1.0 nm (40–200 nm); ± 2.0 nm (200–500 nm)

Môi trường

Nhiệt độ: 5-45°C, Độ ẩm: < 80% (không ngưng tụ)


Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn
Thương hiệu NXT GmbH
Xelas_SCAN-LAB-oled_EN_NXT_V2.pdf
Tải xuống
Quang phổ đo màng mỏng offline cho OLED Xelas
Quang phổ đo màng mỏng offline cho OLED Xelas
0 ₫