Đặc điểm chính
Hai chế độ linh hoạt (Thermal & PEALD): Hỗ trợ cả ALD nhiệt thông thường (Thermal ALD) và ALD hỗ trợ plasma (Plasma-Enhanced ALD - PEALD).
Nguồn Plasma ICP mạnh mẽ: Trang bị nguồn plasma cảm ứng (Remote Inductively Coupled RF Plasma - ICP) công suất 1 kW (tần số 13.56 MHz), hỗ trợ tối đa 6 loại khí xử lý plasma (như Ar, O2, N2, H2, NH3). Các ống plasma có thể tùy chọn vật liệu Thạch anh (Fused Silica) hoặc Sapphire.
Kỹ thuật PFT độc quyền: Giúp tối ưu hóa dòng chảy của tiền chất đi trực tiếp vào bề mặt chất nền (Wafer), nâng cao hiệu suất sử dụng hóa chất và tăng độ đồng đều của màng mỏng.
Buồng tải mẫu (Load-Lock): Giúp cô lập buồng phản ứng chính với môi trường ngoài trong quá trình nạp/dỡ mẫu, đảm bảo độ sạch siêu cao và tăng hiệu suất vận hành. Có tùy chọn tích hợp với tủ thao tác cách ly (Glovebox) chứa khí trơ (Argon).
Kiểm soát nhiệt độ chính xác: Đế nhiệt chất nền có khả năng gia nhiệt độc lập lên tới 600°C. Các đường ống dẫn tiền chất được bọc khối nhôm cladding có gia nhiệt, kiểm soát độc lập lên tới 250°C với 6 vùng nhiệt riêng biệt nhằm ngăn hiện tượng ngưng tụ hóa chất.
Hệ thống đo độ dày màng mỏng tại chỗ (In-situ Ellipsometry): Cho phép theo dõi thời gian thực (Real-time) quá trình sinh trưởng và độ dày của màng mỏng ngay trong buồng phản ứng mà không cần lấy mẫu ra ngoài.
Hệ thống phần mềm điều khiển eKLipse™: Giao diện trực quan, thân thiện, tương thích với hơn 125 giao diện thiết bị tiêu chuẩn trong ngành (bơm, van, bộ nguồn, thiết bị đo...).
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý
ALD-150LX ứng dụng công nghệ lắng đọng lớp nguyên tử (ALD) với hai chế độ linh hoạt: ALD nhiệt (Thermal ALD) và ALD hỗ trợ plasma (PEALD) sử dụng nguồn plasma cảm ứng từ xa (Remote ICP) 1 kW (13.56 MHz). Thiết bị vận hành dựa trên nguyên lý phản ứng hóa học tự giới hạn (self-limiting) trên bề mặt chất nền. Kết hợp với kỹ thuật tập trung tiền chất độc quyền (PFT™), hệ thống tối ưu hóa động học dòng khí, ép các luồng hơi hóa chất đi trực tiếp và bao phủ đồng đều lên bề mặt wafer (lên đến 150mm), giúp kiểm soát độ dày màng mỏng chính xác ở cấp độ từng đơn lớp nguyên tử.
Lãng phí tiền chất & màng không đều: PFT™ giải quyết triệt để bằng cách định hướng dòng khí, tăng hiệu suất sử dụng hóa chất đắt đỏ và đảm bảo độ đồng đều tuyệt đối.
Tổn thương bề mặt do plasma: Cấu hình "Remote ICP" chỉ cho các gốc tự do trung hòa tham gia phản ứng, giữ lại ion động năng cao để bảo vệ màng khỏi bị bắn phá.
Ngưng tụ & Nhiễm bẩn mẫu: Hệ thống bọc nhôm cladding với 6 vùng nhiệt độc lập (lên đến 250°C) xóa bỏ hoàn toàn "điểm lạnh" gây ngưng tụ hóa chất. Đồng thời, buồng tải mẫu Load-Lock ngăn chặn không khí, hơi nước lọt vào buồng phản ứng chính, bảo toàn độ sạch siêu cao.
Tốn thời gian đo đạc tối ưu quy trình: Hệ thống đo quang học tại chỗ (In-situ Ellipsometry) cho phép theo dõi thời gian thực (Real-time) độ dày và tốc độ tăng trưởng màng mà không cần xả chân không lấy mẫu ra ngoài.
Tích hợp & Mở rộng
ALD-150LX™ sở hữu khả năng nâng cấp module linh hoạt, dễ dàng chuyển đổi từ một máy độc lập (Stand-alone) thành một phần trong hệ thống cụm (Cluster Tool) thông qua kết nối cơ khí tiêu chuẩn. Thiết bị có thể tích hợp trực tiếp với tủ thao tác cách ly (Glovebox) chứa khí trơ nhằm bảo vệ các mẫu nhạy cảm với oxy. Về mặt điều khiển, phần mềm eKLipse™ với giao diện trực quan hỗ trợ tương thích mã nguồn với hơn 125 thiết bị ngoại vi ngành (bơm, van, MFC...), cho phép mở rộng tối đa 14 nguồn tiền chất để chế tạo các vật liệu phức tạp đa lớp.