Đặc điểm chính
Cấu trúc buồng hình hộp mở phía trước: Thiết kế buồng bằng thép không gỉ dạng hộp (Box Chamber) tối đa hóa không gian phân bố nguồn dễ dàng thao tác, cấu hình lại linh kiện và bảo trì định kỳ.
Tích hợp đa công nghệ PVD đồng thời: Cho phép kết hợp linh hoạt cấu hình bốc bay chùm tia điện tử (E-beam), bốc bay nhiệt (Thermal) và phún xạ magnetron trên một nền tảng duy nhất mà không xảy ra hiện tượng nhiễm chéo vật liệu.
Hệ thống điều khiển độc quyền eKLIPSE: Nền tảng điều khiển bằng PC/PLC trực quan, hỗ trợ thiết lập công thức tự động hóa hoàn toàn, kiểm soát vòng lặp khép kín tốc độ lắng đọng và lưu trữ chính xác dữ liệu vận hành.
Tùy chọn buồng khóa tải (Load Lock) chu kỳ nhanh: Cách ly hoàn toàn buồng xử lý chính để duy trì áp suất chân không siêu cao ổn định, giảm thiểu tối đa thời gian nạp/xả mẫu giữa các mẻ phủ mẫu.
Mô tả chi tiết
Hệ thống lắng đọng màng mỏng Kurt J. Lesker AXXIS thiết lập một tiêu chuẩn mới cho các thiết bị PVD (lắng đọng hơi vật lý) thuộc phân khúc R&D nâng cao và sản xuất quy mô nhỏ nhờ cơ chế vận hành mô-đun hóa toàn diện. Trọng tâm của hệ thống là khả năng chuyển đổi linh hoạt giữa các kỹ thuật lắng đọng khác nhau mà không làm ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của môi trường chân không siêu sạch. So với các đối thủ cạnh tranh trên thị trường thường cố định cấu hình hoặc yêu cầu thay đổi phần cứng phức tạp gây tốn thời gian, AXXIS cho phép người dùng đồng tích hợp nguồn bốc bay chùm tia điện tử đa chén nung (Multi-pocket E-beam) cùng lúc với các nguồn phún xạ magnetron và nguồn bốc bay nhiệt xung quanh buồng. Sự kết hợp đa năng này mang lại khả năng chế tạo các lớp màng đa tầng phức tạp chỉ trong một chu kỳ chân không duy nhất.
Cơ chế kiểm soát góc lắng đọng là một lợi thế công nghệ cốt lõi của AXXIS trong các ứng dụng chất bán dẫn và quang điện tử, đặc biệt là quy trình Lift-off (bóc tách màng mỏng). Nhờ thiết kế hình học buồng dạng hộp được tính toán mô phỏng chính xác, khoảng cách từ nguồn vật liệu đến tấm đế (substrate) được kéo dài tối đa. Điều này tạo ra dòng hạt bay hơi có hướng tiếp cận gần như vuông góc tuyệt đối với bề mặt wafer. Khi kết hợp với cơ cấu xoay mẫu liên tục dạng quỹ đạo (Planetary) chuyển động hai trục, hệ thống triệt tiêu hoàn toàn hiệu ứng đổ bóng hạt (shadowing effect), đảm bảo màng mỏng phủ lên các cấu trúc vi mô và nano có độ bao phủ thành bên và độ dày đồng đều lý tưởng (sai số dưới 2%) trên toàn bộ diện tích bề mặt tấm đế lên đến 200 mm.
Về mặt tự động hóa, phần mềm điều khiển eKLIPSE™ độc quyền dựa trên nền tảng PC/PLC vượt trội hơn hẳn các bộ điều khiển thông thường của đối thủ bằng việc cung cấp kiến trúc vòng lặp khép kín (closed-loop control). Hệ thống liên tục thu nhận tín hiệu từ cảm biến vi cân tinh thể thạch anh (QCM) để điều chỉnh dòng kích thích nguồn công suất theo thời gian thực với độ trễ tính bằng mili giây. Cơ chế phản hồi nhanh này đảm bảo tốc độ lắng đọng luôn ổn định, giúp sai số độ dày màng giữa các mẻ (run-to-run repeatability) đạt mức chính xác tiệm cận nguyên tử. Ngoài ra, việc tích hợp các tính năng an toàn liên khóa (safety interlocks) phần cứng nghiêm ngặt giúp chủ động bảo vệ nguồn cấp cao áp, dòng khí và hệ thống bơm phân tử (turbomolecular) khỏi các sự cố quá áp đột ngột, mang lại độ tin cậy vận hành vượt trội và giảm thiểu tối đa chi phí bảo dưỡng dài hạn cho phòng thí nghiệm.