FC300 tích hợp công nghệ căn chỉnh song song tuyệt đối trong phạm vi 1 µrad, đạt độ chính xác sau hàn cao ± 0.3 µm và dải lực cực rộng 1-4000 N. Thiết bị mang lại độ lặp lại vượt trội, khả năng cấu hình linh hoạt từ R&D đến dây chuyền sản xuất thử nghiệm. Hệ thống ứng dụng chuyên sâu cho đóng gói linh kiện cấu trúc siêu mịn (< 10 µm), 3D Integration, cảm biến hình ảnh X-Ray/Infrared, hiển thị MicroLEDs và Silicon Photonics.

ACCµRA OPTO sở hữu công nghệ trục cơ giới hóa kết hợp dải lực ép cực thấp 0.2 - 10 N. Thiết bị đạt độ chính xác sau hàn ± 0.5 µm, mang lại độ lặp lại quy trình cao và tính linh hoạt tuyệt vời. Đây là giải pháp tối ưu cho các ứng dụng chuyên sâu như Optoelectronics (Quang điện tử) và Silicon Photonics. 

ACCµRA M sử dụng công nghệ vận hành thủ công kết hợp hệ thống hỗ trợ cơ khí độ chính xác cao, đạt độ chính xác sau hàn ± 3 µm và dải lực nén tối đa 100 N. Thiết bị mang lại tính linh hoạt tuyệt đối, vận hành trực quan dễ dàng với mức chi phí đầu tư tối ưu nhất, là giải pháp lý tưởng phục vụ cho mục đích giáo dục, thử nghiệm quy trình ban đầu và các ứng dụng R&D cơ bản.

Máy hàn và căn chỉnh wafer AWB 04 cung cấp quy trình kiểm soát hàn dán toàn diện trong một buồng duy nhất (in-situ), đạt độ chính xác căn chỉnh vượt trội 1 µm và lực ép lớn lên đến 40 kN. Thiết bị sở hữu độ linh hoạt cao, thiết kế nhỏ gọn tối ưu không gian, là giải pháp lý tưởng phục vụ từ nghiên cứu phát triển (R&D) đến sản xuất hiệu suất cao cho các phiến bán dẫn 3", 4", 6" và chip tùy chỉnh.

Máy hàn và căn chỉnh wafer AWB 08 chuyên dụng cho kích thước 6" và 8". Thiết bị tích hợp quy trình căn chỉnh và hàn chính xác 1 µm trong một buồng chân không, lực nén tới 40 kN. Đây là giải pháp lý tưởng cho ứng dụng MEMS nâng cao, đóng gói 3D và sản xuất thử nghiệm hiệu suất cao quy mô phòng thí nghiệm chuẩn công nghiệp.

Beneq Transform® là hệ thống ALD chuẩn công nghiệp cao cấp cho sản xuất hàng loạt kỷ nguyên "More-than-Moore". Máy tích hợp cả Thermal ALD và PEALD, xử lý linh hoạt phiến bán dẫn từ 3" đến 8" (lộ trình lên 12"). Đây là giải pháp màng mỏng cốt lõi cho Điện tử công suất (GaN, SiC), RF, MEMS, cảm biến, MicroLED và Quang tử học.

PVA TePla SIRD sử dụng công nghệ khử cực hồng ngoại quét không phá hủy để bản đồ hóa ứng suất cơ học và khuyết tật nội tại trong các tấm wafer bán dẫn (Si, SiC, GaAs) lên đến 300mm. Thiết bị mang lại độ nhạy vượt trội, tốc độ quét nhanh, lý tưởng cho cả nghiên cứu R&D và kiểm soát quy trình sản xuất hàng loạt inline.

LuXpector THEA là hệ thống đo màng mỏng tự động tốc độ cao, kết hợp ellipsometry và reflectometry cho độ chính xác vượt trội. Thiết kế tối ưu cho nghiên cứu R&D và sản xuất hàng loạt, thiết bị giúp đo lường độ dày, chiết suất và thành phần lớp màng trên wafer bán dẫn (Si, SiC, GaN, GaAs, v.v.) với khả năng xử lý lên đến 160 wafer/giờ.

VEpioneer® MACRO là hệ thống kiểm tra bằng tầm nhìn siêu phổ (Hyperspectral Vision) để bàn, tích hợp đầy đủ và vận hành chỉ với một nút bấm. Thiết bị cung cấp khả năng kiểm tra không phá hủy, xác định các đặc tính bề mặt, phát hiện màng mỏng và nhận diện sai lệch so với tiêu chuẩn sản xuất với tốc độ quét cực nhanh.

VEreveal® kết hợp độc đáo giữa quang phổ quang học và công nghệ hình ảnh siêu phổ (hyperspectral) để kiểm tra bề mặt không phá hủy. Thiết bị cho phép đánh giá toàn diện các thuộc tính vật liệu, độ dày lớp phủ và phát hiện khuyết tật, nhiễm bẩn trên wafer lên đến 300mm với độ chính xác cao và tốc độ nhanh, phù hợp cho kiểm soát chất lượng sản xuất.

Kính hiển vi quét đầu dò (SPM) cho phép ghi lại hình ảnh độ phân giải cao và phân tích quang phổ ở cấp độ nguyên tử. Dòng máy Aarhus phiên bản NAP, cho phép nghiên cứu các phản ứng bề mặt ở cấp độ nguyên tử trong dải áp suất từ UHV đến 100 mbar. Cho phép quan sát trực tiếp (in-situ) cấu trúc nguyên tử, sự phát triển bề mặt và các quá trình xúc tác dưới dải nhiệt độ thay đổi đa dạng.