Đặc điểm chính
- Đo lường đa thông số trực tiếp: Phân tích đồng thời độ dày (45 - 120 nm) và chiết suất (1.90 - 2.35) của lớp phủ Silicon Nitride độc lập mà không cần phá hủy mẫu.
- Lập bản đồ phân bố tốc độ cao (High-speed mapping): Hệ thống tự động thiết lập mặt phẳng với bàn định vị XY tự động, cho phép quét và tạo biểu đồ phân bố lớp phủ chính xác cho toàn bộ tấm wafer chỉ trong chưa đầy 1 phút.
- Tương thích đa dạng bề mặt Wafer: Vận hành hiệu quả trên cả wafer đa tinh thể (mc) và đơn tinh thể (pc), đáp ứng tốt với các bề mặt đánh bóng, thô ráp, khắc hóa học đẳng hướng/dị hướng hoặc khắc ion phản ứng (RIE).
- Đồng bộ với các quy trình lắng đọng lõi: Là công cụ kiểm định chất lượng hoàn hảo cho các dây chuyền sản xuất màng mỏng ứng dụng công nghệ PE-CVD và phún xạ Magnetron (Magnetron Sputtering).
- Vận hành thân thiện (Easy Operation): Tích hợp sẵn các tệp mẫu lập bản đồ cấu hình (mapping templates) và quy trình chuẩn hóa, cho phép các kỹ thuật viên thao tác và trích xuất dữ liệu nhanh chóng mà không cần qua đào tạo chuyên sâu.
Mô tả chi tiết
Nguyên lý giao thoa quang phổ tiên tiến
Hệ thống Helios SCAN-tn của NXT sử dụng công nghệ quang phổ công nghiệp độc quyền chuyên phục vụ ngành quang điện. Thiết bị hoạt động dựa trên nguyên lý ghi nhận sự lệch pha (Phase differences) giữa các tia phản xạ ở mặt trước và mặt sau của một lớp màng mỏng gây ra hiện tượng giao thoa. Sau khi ghi lại phổ giao thoa của pin mặt trời đã được phủ lớp chống quang, hệ thống sẽ thực hiện tính toán bằng các thuật toán mạnh mẽ để khớp mô hình lý thuyết với dữ liệu đo, từ đó xác định độ dày và hằng số quang học của các lớp màng siêu mỏng một cách chuẩn xác tuyệt đối.
Giải quyết bài toán tối ưu hóa quy trình màng mỏng
Đối với pin mặt trời gốc wafer, lớp phủ chống phản xạ (điển hình là a-SiNx:H) đóng vai trò sống còn trong việc thụ động hóa bề mặt và làm màng ngăn khuếch tán để tối đa hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng. Thông thường, việc trích xuất được một bản đồ phân bố lớp phủ yêu cầu rất nhiều thời gian và kỹ năng thao tác. Helios SCAN-tn triệt tiêu rào cản này bằng khả năng đo lường chớp nhoáng nhưng cung cấp lượng thông tin cực lớn, giúp các kỹ sư ngay lập tức đánh giá được sự ảnh hưởng của áp suất khí gas hay nhiệt độ buồn lắng đọng lên chất lượng lớp phủ.
Tự động hóa và khả năng mở rộng linh hoạt
Phiên bản Helios SCAN-tn được thiết kế lý tưởng cho các đo đạc offline trong phòng Lab hoặc kiểm định ngẫu nhiên trong nhà máy với các tính năng tự động hiệu chuẩn và lập biểu đồ tự động. Bên cạnh đó, nền tảng quang học và thuật toán của hệ thống này được giữ nguyên hoàn toàn khi đồng bộ hóa vào phiên bản Helios INLINE-tn, cho phép các nhà máy dễ dàng nâng cấp lên hệ thống kiểm soát chất lượng quang học tốc độ cao ngay trên băng chuyền wafer đang chuyển động.