Bỏ qua để đến Nội dung
Camera kiểm soát khe hở trong lò kéo Silicon ETA-SiCAM

Giá:

0 ₫

Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios SCAN-tn
Quang phổ đo màng mỏng pin mặt trời Helios SCAN-tn
Camera quang phổ đa năng TCM uScope
Camera quang phổ đa năng TCM uScope

Camera kiểm soát khe hở trong lò kéo Silicon ETA-SiCAM

Thiết bị đo khoảng cách khe hở ETA-SiCAM sở hữu thiết kế quang học được cấp bằng sáng chế, cung cấp độ chính xác <0.5mm và tốc độ đo 5Hz. Đây là giải pháp tối ưu giúp kiểm soát ổn định nhiệt động lực học trong lò kéo tinh thể Czochralski (Cz), nâng cao chất lượng phôi Silicon cho pin mặt trời và linh kiện bán dẫn.

7 người đang xem sản phẩm này ngay bây giờ
0 ₫ 0 ₫

  • Lĩnh vực nghiên cứu
  • Thương hiệu - NXT GmbH
NXT GmbH
NXT GmbH

Nhà sản xuất Quang phổ đo chiều dày lớp phủ bằng công nghệ phản xạ

Đặc điểm chính


  • Công nghệ quang học đột phá: Áp dụng thiết kế quang học mới (patent applied) giúp ghi nhận chính xác khoảng cách giữa màng chắn nhiệt (heat shield) và dung dịch Silicon nóng chảy.
  • Độ chính xác và tốc độ đo vượt trội: Cung cấp sai số cực thấp (<0.5 mm) cùng tốc độ lấy mẫu lên đến 5 Hz, đáp ứng yêu cầu theo dõi liên tục ở điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt (lên tới 1500°C).
  • Phạm vi đo lường linh hoạt: Hỗ trợ dải quét khoảng cách khe hở rộng từ 3 – 30 mm, tương thích hoàn hảo với các biến đổi động học trong suốt quá trình kéo phôi.
  • Phân tích dữ liệu trực quan: Tích hợp tính năng ghi nhật ký tự động (Data logging) và lập biểu đồ xu hướng (Trend data) giúp kỹ sư giám sát biến động chất lượng theo thời gian thực.
  • Khả năng tích hợp dễ dàng: Cung cấp giao diện đường truyền (Line interface) chuyên dụng, hỗ trợ kết nối nhanh và đồng bộ dễ dàng vào hệ thống lò kéo tinh thể (Crystal pullers) hiện hữu.

Mô tả chi tiết


Kiểm soát khoảng cách bằng công nghệ quang học

Trong quá trình sản xuất phôi Silicon đơn tinh thể (monocrystalline Si-wafers) cho thiết bị điện tử hoặc pin năng lượng mặt trời, màng chắn nhiệt được sử dụng để ổn định các thông số nhiệt động lực học tại vùng chuyển tiếp từ pha lỏng sang pha rắn. Thiết bị đo nội tuyến (Inline) ETA-SiCAM của hãng NXT ứng dụng công nghệ quang học tiên tiến, liên tục thu nhận hình ảnh quang học để xác định chính xác khoảng cách giữa mép dưới màng chắn nhiệt và bề mặt khối Silicon lỏng ở mức nhiệt lên đến 1500°C.

Giải quyết bài toán hao hụt chất lượng tinh thể

Khoảng cách khe hở không hề cố định mà thay đổi liên tục trong suốt tiến trình phát triển phôi, trực tiếp gây ra sự biến động môi trường nhiệt. Nếu không được theo dõi và căn chỉnh lại, rủi ro thành phẩm kém chất lượng là rất lớn. ETA-SiCAM giải quyết trọn vẹn rào cản này bằng năng lực đo khoảng cách đạt độ chính xác dưới 0.5 mm. Nhờ thông số phản hồi liên tục, hệ thống kéo tinh thể có thể tái căn chỉnh tức thời, đảm bảo môi trường tinh thể hóa luôn ở trạng thái ổn định lý tưởng.

Nền tảng phân tích và cảnh báo xu hướng thời gian thực

Bên cạnh đầu đo siêu nhỏ gọn (compact measurement head), hệ thống cung cấp giao diện đồ họa hiển thị trực quan bao gồm các đường cong phân tích (Trend graphic) và chỉ số đo tức thời. Toàn bộ dữ liệu được hệ thống tự động ghi nhận (Data logging) và truyền xuất thông qua chuẩn giao tiếp (Line interface), giúp thiết bị dễ dàng kết hợp vào dây chuyền của nhà máy, thiết lập một quy trình kiểm soát chất lượng (QA) nhất quán mà không phá hủy vật mẫu.

Thông số kỹ thuật chi tiết


Loại thiết bịHệ thống đo khoảng cách khe hở trực tuyến
Phạm vi đoKhe hở 3 – 30 mm
Độ chính xác< 0,5 mm
Tốc độ đoLên đến 5 Hz
Giám sát nhiệt độ nóng chảy~ 1500°C
Dữ liệu & Phân tíchGhi dữ liệu, Trực quan hóa xu hướng dữ liệu
Kết nối / Giao diệnGiao diện đường truyền (Line interface)
Ứng dụng chínhLò kéo đơn tinh thể Cz (Silicon nóng chảy)


Lĩnh vực nghiên cứu Khoa học Vật liệu hoặc Công nghệ Bán dẫn
Thương hiệu NXT GmbH
ETA_SiCAM_NXT_V4.pdf
Tải xuống
Camera kiểm soát khe hở trong lò kéo Silicon ETA-SiCAM
Camera kiểm soát khe hở trong lò kéo Silicon ETA-SiCAM
0 ₫