Đặc điểm chính
Tối ưu hóa cho phiến bán dẫn cỡ lớn (6" & 8" Wafer Capability): Được thiết kế cơ khí chính xác để xử lý hoàn hảo các wafer kích thước lớn 6 inch và 8 inch tiêu chuẩn công nghiệp.
Căn chỉnh tại chỗ vượt trội (In-situ Alignment 1 µm): Hệ thống căn chỉnh quang học trực tiếp ngay trong buồng dán giúp loại bỏ hoàn toàn sai lệch cơ học do dịch chuyển wafer giữa các công đoạn.
Xử lý lực ép lớn mạnh mẽ (High Force up to 40 kN): Trục Z cơ giới hóa tạo ra lực ép đồng đều trên diện tích bề mặt lớn của wafer 8", đáp ứng các quy trình hàn khuếch tán hoặc hàn eutectic khắt khe.
Gia nhiệt độc lập công suất lớn (Independent Heating): Kiểm soát nhiệt độ riêng biệt cho mâm nhiệt trên và dưới (chênh lệch delta nhiệt lên tới 350°C), cho phép thiết lập tốc độ gia nhiệt khác nhau để tối ưu hóa quy trình khử khí.
Kẹp cạnh phiến bảo vệ bề mặt (Wafer Edge Clamping): Cơ chế kẹp giữ wafer ở phần mép ngoại vi, đảm bảo không tiếp xúc với khu vực hoạt chất, ngăn ngừa tối đa nguy cơ nhiễm bẩn hoặc trầy xước.
Hỗ trợ cấu trúc xếp chồng phức tạp (Multi-stack/Triple-stack Bonding): Có khả năng thực hiện hàn ba lớp (như Si-Glass-Si) và các cấu trúc xếp chồng dày lên đến 30 mm mà vẫn đảm bảo độ đồng đều áp suất.
Mô tả chi tiết
Công nghệ & Nguyên lý hoạt động
AWB 08 vận hành dựa trên nền tảng công nghệ độc quyền của AML, cho phép thực hiện chu trình khép kín: Căn chỉnh (In-situ Alignment), Khử khí (Outgassing), Xử lý bề mặt và Ép dán ngay bên trong một buồng xử lý duy nhất. Trong suốt quá trình, hệ thống camera Live View (hoặc tùy chọn NIR cho vật liệu Silic) giúp giám sát thời gian thực. Thiết bị tích hợp các mô-đun công nghệ cao như Kích hoạt gốc tự do (Radical Activation - RAD) và Phun hơi hóa chất tự động (AVI) để làm sạch và tăng năng lượng liên kết bề mặt ngay trước thời điểm hai wafer tiếp xúc.
Khi dịch chuyển từ giai đoạn R&D (thường dùng wafer 3" hoặc 4") sang giai đoạn sản xuất thử nghiệm hoặc sản xuất công nghiệp (yêu cầu wafer 6" hoặc 8"), các kỹ sư thường gặp khó khăn lớn về độ đồng đều của lực ép và nhiệt độ trên diện tích bề mặt lớn, cũng như nguy cơ lệch màng khi di chuyển wafer giữa máy căn chỉnh và máy hàn độc lập. AWB 08 giải quyết triệt để rào cản này bằng cách giữ cố định wafer trong môi trường chân không từ lúc căn chỉnh cho đến khi hàn xong, đồng thời hệ thống mâm nhiệt và trục cơ giới 40 kN đảm bảo phân phối lực/nhiệt cực kỳ đồng đều trên toàn bộ bề mặt phiến 8", giảm thiểu tỷ lệ lỗi sản phẩm.
Tích hợp & mở rộng
Mặc dù không hỗ trợ các mâm kẹp chip kích thước nhỏ (vốn là đặc quyền của dòng AWB 04), AWB 08 lại sở hữu khả năng nâng cấp công nghiệp mạnh mẽ. Máy cho phép tích hợp cấu hình tối đa 3 đường khí quy trình, hệ thống bơm chân không phân tử Turbo công suất cao, mô-đun căn chỉnh tự động hóa hoàn toàn, đèn UV đóng rắn keo, và hệ thống kính quang học hồng ngoại gần (NIR Optics) nhạy bước sóng > 1.1 µm để căn chỉnh các cấu trúc vi mạch xếp chồng phức tạp.